TI借助FRAM发布全球最低功耗MCU

　　在德州仪器(TI)近日召开新品发布会上，该公司半导体事业部嵌入式产品业务拓展经理吴健鸿介绍其最新超低功耗铁电(FRAM)MSP430 MCU平台，包括MSP430FR59x和MSP430FR69x，这是继两年前TI铁电MCU MSP430FR57x发布之后的又一重磅产品。他强调说，TI是唯一一家在市场上提供FRAM MCU的公司，并且采用EnergyTrace++技术设计的MSP430 MCU实现了全球最低功耗MCU的设计目标。

　　全球真正的超低功耗

　　TI全新MSP430FR59x/69x FRAM MCU产品系列集成了涵盖32KB至128KB嵌入式FRAM的EnergyTrace++实时功耗分析器和调试器。EnergyTrace++技术是全球第一个能使开发人员为每个外设实时分析功耗(电流分辨率低至5nA)的调试系统。这使工程师能控制自己的功耗预算并优化软件，尽所能创造出能耗最低的产品。这项新技术现在可用于MSP430FR59x和MSP430FR69x MCU产品系列，并配备全新的低成本MSP430FR5969 LaunchPad开发套件。

　　此外，TI创新的超低漏电(ULL)专有技术，使得其MCU产品可在-40至85摄氏度的整个温度范围内提供全球最低的系统功耗，即运行功耗为100μA/MHz，精确实时时钟(RTC)待机功耗为450nA，并具有业界领先的功率性能。

　　FRAM MCU包括各种智能模拟外设，如在转换速率为200 ksps时耗电流低至140μA的差分输入模数转换器(ADC)以及可在系统处于待机状态时运行的增强型流量计量扫描接口，从而使功耗降低10倍。此外，集成式8-mux LCD显示器和256位高级加密标准(AES)加速器也可降低功耗，缩减材料清单成本并节省电路板空间。

　　借助FRAM独特性打造优势

　　之所以称之为铁电MCU，是因为该系列MCU产品采用具有独特功能的FRAM。它具有三大特性，一是无限的可擦写次数。无可匹敌的读取/写入速度意味着FRAM MCU比传统非易失性存储器解决方案的擦写循环次数多100亿次以上，这一擦写周期远超出了产品生命周期本身。二是灵活性。FRAM具有独特能力，使开发人员摆脱代码和数据存储器之间的传统界限束缚。用户无需再受限于业界标准闪存与RAM的比率或为增加的RAM需求支付额外费用。三是易用性，FRAM可简化代码开发。由于FRAM无需预先擦除段，并可基于比特级被存取，使恒定的即时数据记录成为可能。无线固件更新复杂程度降低，速度加快且能耗减少。

　　相比于传统MCU，FRAM MCU产品组合具备如下独特优势：1，FRAM是唯一的非易失性嵌入式存储器，可在电流低于800μA的情况下以8Mbps的速率被写入，比闪存快100倍以上;2，借助引脚对引脚兼容性和可扩展的产品组合(由TI超低功耗MSP430 MCU FRAM产品平台内32KB至128KB的器件组成)，使开发工作变得更轻松;3，借助MSP430 FRAM和闪存组合之间的代码和外设兼容性，利用MSP430Ware来简化迁移;4，可取代EEPROM，旨在设计出写入速度更快、功耗更低且内存可靠性更高的安全产品;5，256位的AES加速器使TI的FRAM MCU能确保数据传输;6，适合开发人员使用的丰富资源包括详细的迁移指南和应用手册，以简化从现有硅芯片到MSP430FR59x/69x MCU的迁移。

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