三星制程升级,全球DRAM位元供给量增长

　　2014年全球DRAM位元供给量虽呈现逐季增长态势，且在第4季达到高点，但在来自智能手机与平板电脑等移动装置对Mobile DRAM强劲增长带动下，全球DRAM市场位元需求量增长表现更优于DRAM位元供给量增长，这也将使得2014年全球DRAM市场供过于求状况逐季改善。

　　DIGITIMES Research预计，2014年第4季DRAM市场价格压力可望暂获舒缓，但面临2015年全球景气增长动力有下修的疑虑，加上第1季淡季效应不利影响下，第4季下旬DRAM市场价格仍将可能面临下调压力。

　　2014年全球主要DRAM厂仅有华邦电子自南亚科技购买胜普电子8寸晶圆厂，及遭祝融之灾的SK海力士无锡厂产能于2014年上半恢复外，包括三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、南亚科技皆无扩充DRAM产能的动作。

　　不仅如此，包括三星、SK海力士、美光等全球前三大DRAM厂甚至将原本用于生产DRAM产能移转至NAND Flash与晶圆代工等业务，这也让全球用于生产DRAM的12寸晶圆产能自2011年见到高点后，出现连续3年下滑。

　　三星早在2013年第2季将25纳米制程导入量产，并于2014年第3季将20纳米制程导入量产，虽然20纳米制程对三星产能增加贡献相当有限，但在25纳米制程占产能比重持续提升的推动下，将成为带动2014年全球DRAM位元供给量增长的最重要动力。

　　DIGITIMES Research预计，在三星的带动下，2014年全球DRAM位元供给量较2013年增长24.2%，年位元增长率略优于2013年23.1%，但仍无法摆脱DRAM位元供给量增长趋缓的态势，DRAM位元供给量增加动能仅来自先进制程升级所增加产能，而非新建DRAM产线。

　　2013年1月以来4Gb DDR3现货价与合约价变化

　　资料来源：DIGITIMES，2014/10

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