三星制程升级,全球DRAM位元供给量增长
来源:互联网 作者:------ 时间:2014-10-29 13:30
2014年全球DRAM位元供给量虽呈现逐季增长态势,且在第4季达到高点,但在来自智能手机与平板电脑等移动装置对Mobile DRAM强劲增长带动下,全球DRAM市场位元需求量增长表现更优于DRAM位元供给量增长,这也将使得2014年全球DRAM市场供过于求状况逐季改善。
DIGITIMES Research预计,2014年第4季DRAM市场价格压力可望暂获舒缓,但面临2015年全球景气增长动力有下修的疑虑,加上第1季淡季效应不利影响下,第4季下旬DRAM市场价格仍将可能面临下调压力。
2014年全球主要DRAM厂仅有华邦电子自南亚科技购买胜普电子8寸晶圆厂,及遭祝融之灾的SK海力士无锡厂产能于2014年上半恢复外,包括三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、南亚科技皆无扩充DRAM产能的动作。
不仅如此,包括三星、SK海力士、美光等全球前三大DRAM厂甚至将原本用于生产DRAM产能移转至NAND Flash与晶圆代工等业务,这也让全球用于生产DRAM的12寸晶圆产能自2011年见到高点后,出现连续3年下滑。
三星早在2013年第2季将25纳米制程导入量产,并于2014年第3季将20纳米制程导入量产,虽然20纳米制程对三星产能增加贡献相当有限,但在25纳米制程占产能比重持续提升的推动下,将成为带动2014年全球DRAM位元供给量增长的最重要动力。
DIGITIMES Research预计,在三星的带动下,2014年全球DRAM位元供给量较2013年增长24.2%,年位元增长率略优于2013年23.1%,但仍无法摆脱DRAM位元供给量增长趋缓的态势,DRAM位元供给量增加动能仅来自先进制程升级所增加产能,而非新建DRAM产线。
2013年1月以来4Gb DDR3现货价与合约价变化
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