半导体市场今年迎向高规格之争

　　2015年由行动装置带动的高规格半导体之争蓄势待发;行动应用处理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三阶储存单元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半导体需求增加，被视为半导体产业成长新动能。

　　据韩媒亚洲经济的报导，智慧型手机的功能高度发展，让核心零组件如应用处理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半导体的需求日渐增加。首先是AP从32位元进化到64位元，可望让多工与资料处理速度获得改善。

　　目前AP业者中，只有高通(Qualcomm)与三星电子(Samsung Electronics)具备64位元技术，三星电子在2014年10月推出改善发热问题的Exynos 7420，采用64位元8核心与14奈米FinFET制程技术，支援LPDDR4标准，内存频宽也成长为2倍，市占率可望稳定提升。

　　AP功能强化，促使行动DRAM从LPDDR3加速走向LPDDR4。因为搭载64位元AP的智慧型手机，为了提高DRAM密度必须转换成低功耗介面，LPDDR4与LPDDR3相比可省电40%以上，在同一电量水准下，系统性能表现更好。此外，也能搭载因画素太高，而无法应用于LPDDR3的超高画质(UHD)显示器。

　　至于在NAND Flash方面，记忆体规格也正从eMMC转移到UFS，eMMC规格的晶片每秒传输速度可达400MB，但UFS最快可达1.2GB，相当eMMC的3倍。三星电子2015年上市的旗舰智慧型手机将搭载UFS，以巩固高规格产品的全球领先品牌形象。

　　2015年TLC采用率也有所提升。三星电子NAND Flash产品中，TLC占比上看70%。SK海力士(SK Hynix)也计划在上半年量产TLC架构的产品。

　　南韩资讯通信技术振兴中心相关人士也提醒，业者们应革新材料开发与微细制程等技术，研发超高速、大容量与低功耗产品，因应系统性能的多元化、复杂化与高速化，也应加强元件、设备、材料与精密测量等半导体领域一体适用的共同基础技术，透过开发先进产品持续领先市场。

　　360°：NAND Flash应用控制晶片供应商

　　2014年NAND Flash市场应用成长动能仍集中在固态硬碟(SSD)和内嵌式记忆体eMMC上，USB 3.0产品也是其中之一，因为价格几乎逼近USB 2.0规格，因此产品将自然进行世代交替。

　　SSD供应商包括NAND Flash大厂，如三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)和记忆体模组厂，控制晶片如迈威尔(Marvell)、LSI(已被Avago购并)、群联、慧荣、亿正储存等。

　　智慧型手机和平板电脑用的内嵌式记忆体eMMC供应商包括NAND Flash大厂、群联、慧荣，还有海力士买下银灿的eMMC团队要自制控制晶片，以及东芝入股由金士顿和群联合资专门做eMMC的金士顿电子KSI。另外，USB 3.0控制晶片供应商包括群联、慧荣、银灿等。

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