Diodes 30V MOSFET使大容量电容器能够 在现场可编程门阵列电源轨上快速及安全放电

Diodes 30V MOSFET使大容量电容器能够 在现场可编程门阵列电源轨上快速及安全放电

　　Diodes公司新推出的DMN3027LFG 30V N通道MOSFET作为开关使用，确保在现场可编程门阵列 (FPGA) 电源轨上使用的大型大容量电容器能够快速及安全放电。电信设备、服务器和数据中心内的最新现场可编程门阵列具有多个需要正确排序的电源轨，为系统提供安全的开关电源。高可靠性直流-直流电源的设计人员利用这个Diodes的新MOSFET，就可快速及轻易实现该目标。

　　DMN3027LFG在4.5V电压下提供26mΩ的低导通电阻，足以使15mF的电容器在少於10毫秒的时间内放电。同时该导通电阻又不会低至大幅提高电流峰值，继而导致电磁干扰或增加瞬态热应力，最终有可能使MOSFET或电容器组受损。在现场可编程门阵列低压电轨达到典型的1V时，电流会被安全工作区特定的MOSFET通道电阻所限制。该安全工作区的环境温度为+60°C, 以最少的散热片支持一般应用状况，从而在少於10毫秒的时间内安全处理高达20A的峰值电流。

　　DMN3027LFG采用PowerDI 3333封装，具有少於10°C/W的结点至散热焊盘低热阻，可耗散高达3W。新产品以一万个为出货批量。

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