2017年Q1 DDR3 4GB合约价飙升至25美元，创DRAM淡季涨幅最高纪录

　　集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新研究显示，由于DRAM供货吃紧至今未有改善的迹象，因此延续2016下半年的价格涨势，2017年第一季DRAM平均销售单价呈大幅上涨格局，DDR3 4GB模组的合约价最高已超过25美元，季涨幅超过三成，为DRAM史上首个在传统淡季下仍能维持强势涨价的季度。

　　DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，根据现已成交的合约看来，2017年第一季标准型内存价格持续攀高，平均涨幅接近三成，服务器内存的涨幅略同，R-DIMM 32GB模组已超过200美元大关，涨幅同样超过两成。行动式内存也因智能手机在中国新年铺货的需求带动下，不论是单颗颗粒(discrete product)或eMCP解决方案，价格都同样攀高，季涨幅估将超过一成。

　　行动式与服务器内存需求持续强劲，供货吃紧将可能持续整年

　　2016年起，由于中国品牌崛起带动智能手机需求旺盛，DRAM原厂陆续调降标准型内存产出，转作行动式内存。在供货减少下，DDR3 4GB均价一路攀升至今，连带让服务器内存价格也呈现大涨，甚至行动式内存在2017年第一季也有近15%的季涨幅，此外，图形处理用内存与利基型内存也都雨露均沾，季涨幅至少超过一成。

　　展望2017年，各DRAM原厂资本支出较为保守，皆不倾向过分扩张产能，并以获利导向为主要经营策略。DRAMeXchange预估，2017年DRAM产业的供给端位元年成长率仅19%，远低于往年至少二成甚至超过三成的年成长率，在2017年DRAM需求端年成长超过22%情况下，供不应求的严峻程度可见一斑。

　　从市场面观察，由于2017年旗舰手机内存搭载量将上看8GB，加上中端手机多迈向搭载4GB规格，因此行动式内存依然是DRAM产业需求成长最为强劲的类别，整体而言，2017年智能手机内存容量年成长将超过30%，超越一般笔电使用的内存规格。

　　此外，因各式云服务兴起，服务器内存需求也显著成长。DRAMeXchange预估，2017年服务器的平均内存容量将达130GB以上，其中，中国市场的强劲需求力道高于世界水平，亦驱使DRAM厂在2017年的产能分配下，皆计划将产能转往行动式内存与服务器内存，持续使部分的DRAM产品供货吃紧甚至发生缺货情形。现阶段DRAM厂多采取制程转进的方式满足客户需求，而不倾向增加产能，因此，2017年供货短缺的情况极有可能持续一整年度，有助于DRAM产业维持丰厚获利。

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