南亚科首季毛利率创7季新高 Q2 DRAM涨幅10%以内

南亚科首季毛利率创7季新高 Q2 DRAM涨幅10%以内

　　存储器大厂南亚科26日举行法说会，公布2017年第1季自结财报。根据财报显示，2017年第1季营收为122.31亿元(新台币，下同)，较2016年第4季增加1.1%。营业毛利则为49.01亿元，毛利率40.1%，也较2016年第4季增加9.1%。营业利益为38.53亿元，营业利益率达到31.5%。南亚科总经理李培瑛表示，在当前DRAM市场上供货吃紧，加上价格上涨的优势，使得南亚科2017年第1季毛利率创下7季以来新高水准。

　　李培瑛进一步指出，2017年第1季DRAM平均售价较2016年第4季涨价20.1%。因此，虽然南亚科在第1季的出货量，在部分机台由30纳米制程转换到20纳米制程的情况下，较2016年第4季减少14.4%，再加上新台币兑换美元汇率升值的因素影响营收负影响1.7%，使得南亚科2017年第1季税后净利归属于母公司业主为32.75亿元，净利率26.8%，较2016年第4季在扣除出售华亚科股票利益之税后的净利率17.4%，还增加9.4%，单季每股EPS为1.19元。

　　李培瑛进一步指出，南亚科于2016年12月投资美光私募股57,780,138股，每股价格为17.29美元，交易总金额约新台币314.6亿元。以2017年3月31日美光收盘价的28.9美元，累计未实现投资利益额约新台币192亿元。

　　至于，因为制成转换至20纳米的导致2017年第1季出货量下降的因素，李培瑛也表示，预期自第2季开始教慢慢消除，这将使得南亚科的位元销售量以低个位数字百分比逐季成长，带动2017全年位元销售量将可望较2016年仅微幅减少，使得2017年第1季将成为全年营收最低的一季。

　　此外，南亚科预估2017年的资本支出为343亿元，日前董事会通过20纳米第3期资本支出预算，金额以不超过198.4亿元为上限，调高20纳米总资本支出预算至557.4亿元。目前，南亚科的20纳米已于1月底正式试产，规划第3季初会有小量产出，表现优于预期，年底月投片量可达3万片，预期2018年上半年可达到3.8万片，加计30纳米3万片产能，合计为6.8万片。

　　而南亚科的20纳米设备摊提，2017年起将逐步增加。预计幅度将由2016年的14亿元提升至2017年不高于20亿元。不过，在产能转换至20纳米制程之后，其相等的投片量相较30纳米的产出将高达1.6倍的情况下，在当前DRAM持续维持高档，南亚科的获利将可预期。

　　至于，对未来市场的展望，李培瑛指出，DRAM价格在各家厂商的产能陆续开出之后，预计2017年第2季的价格涨幅将会缩小，比例约在10%以内。不过，2017年下半年因为DRAM需求稳定，在传统需求旺季的情况下，需求将会高于上半年。其中，在服务器、企业用笔电、桌上型电脑的需求都会高于预期。至于，在中高端智能手机上，在高解析度的需求，搭配双镜头功能的情况下，也将带动对于DRAM的需求。不过，就整体市场的情况来看，如果在NAND Flash有供过于求的情况下，将可能使得生产NAND Flash厂商调整资本支出到DRAM市场上，届时就可能影响市场的供需与价格。

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