美光超大容量microSD闪存卡预计第2季上市销售

　　美国存储器领导厂美光25日在世界移动大会(MWC)发表全球首款超大容量microSD闪存卡——Micron c200系列 1TB microSDXC UHS-I。该产品为高性能的可抽取式储存解决方案，提供高达 1TB1的储存容量，消费者可用此闪存卡，在手机或其他电子装置上储存4K影片、照片与游戏。预计第2季上市销售。

　　此款闪存卡为业界首款采用美光先进96层四阶储存单元(QLC)3D NAND 技术的 microSD 闪存卡，每秒读取速度高达 100 MB，每秒写入速度3可达 95 MB，符合UHS-I 速度等级 3 (U3)与影片速度等级 30 (V30)的标准。

　　Forward Insights总裁Gregory Wong表示，3D QLC NAND技术时代来临，将带动市场对高容量消费性储存装置的需求增长。且指出，美光推出的新闪存卡为可抽取式储存装置市场划下重要里程碑，将有助于加速移动装置和游戏装置转换成高容量储存装置。

　　美光嵌入式产品事业部 NAND 解决方案资深总监 Aravind Ramamoorthy 则表示，通过研发 CuA (CMOS under the Array) 架构和 96 层 QLC技术，公司站稳 3D NAND领域领导地位，全新的c200 系列 1TB microSD 闪存卡将满足消费者对移动装置黏着度高的生活方式，辅助用户自由撷取、分享、储存和享受更多内容。

　　除了闪存产品，美光在DRAM技术也持续推进，此前也宣布在台湾建立DRAM卓越中心，该公司台湾区副总裁徐国晋此前在一场媒体餐叙上透露，去年在台湾导入1x纳米制程后，预定下半年还将导入1y纳米制程量产，同时并进行1z制程试产，希望明年导入量产。

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