东风系智新半导体IGBT芯片模块4月量产 年产30万只已有少量订单

来源:科创板日报 节选整理 作者: 时间:2021-01-26 14:51

东风系 智新半导体 IGBT芯片

1月26日,记者从东风汽车集团旗下智新半导体有限公司获悉,该公司年产30万车规级IGBT芯片模块生产线4月将投入量产,通过提升封装测试良率,前者实现了车规级芯片模块的国产化替代。

智新半导体有限公司执行副总经理董鸿志表示,随着摩尔定律(处理器的性能每隔两年翻一倍)逼近物理极限,在IGBT芯片模块中,芯片封装的地位显得愈发重要。对于功率半导体而言,由于其芯片承载高电压、大电流的特点,优良的封装技术能最大化地发挥芯片的性能,减小寄生参数,优化能耗,提升系统可靠性。

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据悉,此次生产线中的东风封装技术采用国际先进的超声端子键合工艺、全自动贴片工艺、真空回流焊接工艺、严格的自动化筛选工艺以及高温动静态测试,能确保产品更高的封装测试良率,更稳定的参数以及更好的可靠性。

“与国外同等性能产品相比,东风的功率模块原材料主要来自国内厂家,成本及资源自主可控,具有行业市场竞争力的价格优势。”董鸿志表示,目前已经有少量订单。




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