东风系智新半导体IGBT芯片模块4月量产 年产30万只已有少量订单

1月26日，记者从东风汽车集团旗下智新半导体有限公司获悉，该公司年产30万车规级IGBT芯片模块生产线4月将投入量产，通过提升封装测试良率，前者实现了车规级芯片模块的国产化替代。

智新半导体有限公司执行副总经理董鸿志表示，随着摩尔定律（处理器的性能每隔两年翻一倍）逼近物理极限，在IGBT芯片模块中，芯片封装的地位显得愈发重要。对于功率半导体而言，由于其芯片承载高电压、大电流的特点，优良的封装技术能最大化地发挥芯片的性能，减小寄生参数，优化能耗，提升系统可靠性。

据悉，此次生产线中的东风封装技术采用国际先进的超声端子键合工艺、全自动贴片工艺、真空回流焊接工艺、严格的自动化筛选工艺以及高温动静态测试，能确保产品更高的封装测试良率，更稳定的参数以及更好的可靠性。

“与国外同等性能产品相比，东风的功率模块原材料主要来自国内厂家，成本及资源自主可控，具有行业市场竞争力的价格优势。”董鸿志表示，目前已经有少量订单。