达产后预计年产内存3000万条 合肥沛顿存储一期项目正式封顶

达产后预计年产内存3000万条 合肥沛顿存储一期项目正式封顶

“合肥沛顿存储科技有限公司一期项目正式封顶！”日前，随着这一声郑重宣告，合肥沛顿存储一期项目封顶庆典圆满举行。这激动人心的一刻，标志着深科技在存储半导体产业全球布局中成功再落一子，在提升公司核心竞争力并促进我国存储器产业链发展的道路上迈出了坚实的一步。

合肥经开区管委会副主任王亚斌、刘声；深科技董事长周剑，高级副总裁周庚申；空港新桥指挥部产业部部长邢施民；合肥产投总经理袁飞，副总经理江鑫；安徽十建董事长樊敬金等领导，以及国内主要客户出席庆典，与现场相关负责人、来宾在礼炮的轰鸣声中，共同见证一期项目最后一铲混泥土培土。

响应国家集成电路产业发展战略 重点发展存储半导体业务

为应对国际市场环境变化，积极响应国家发展战略，深科技加大力度布局集成电路封装测试等战略性新兴产业，形成聚焦发展存储半导体、自主产品、高端制造领域及重点建设深科技城项目的“3+1”发展模式，力争实现经营业务的转型升级。深科技在与合肥市政府达成投资协议后，与国家大基金二期、合肥产投、中电聚芯于2020年10月30日注册成立了合肥沛顿存储科技有限公司，在各方的共同努力下，项目在不到4个月的时间里，取得了一期项目顺利封顶的阶段性成果。

周剑在致辞中表示，本项目建成后，将极大完善我国存储器产业链，对国际巨头形成有力的竞争，打破我国存储器领域对进口产品的依赖。本项目将围绕国家战略需要，积极承接国家存储器战略项目的封装测试业务，推动我国存储器产业重点突破和整体提升，实现跨越发展，为经济发展方式转变、综合国力提升提供有力支撑。

同时，合肥沛顿存储也将填补合肥半导体产业链中重要的一环，配合合肥IC设计和IC制造两大产业链中的龙头企业，共同为“芯屏汽合，集终生智”产业体系的建成完善贡献力量。随着产能爬坡形成的规模效应，可以连同周边企业打造空港经济示范区人才洼地，吸引更多更优秀的行业人才加入其中，为合肥乃至国家培育更多的专业人才。

项目快速顺利推进 预计今年年底形成有效产能

周剑强调，近年来，我国集成电路产业快速发展，整体实力显著提升，但集成电路产品依然大量依赖进口，存储芯片制造以及封装测试所需的关键设备和部分材料仍然在卡我们的“脖子”，深科技的目标不仅是配合客户把沛顿打造成国内、乃至全球最大的封装测试企业，更重要的是希望能够为客户、为上下游提供自身的经验和协助，突破国外封锁，建立完全自主可控的集成电路产业链，为国家集成电路产业的发展壮大画上浓墨重彩的一笔。

据悉，合肥沛顿存储项目占地面积约178亩，一次性规划，分期建设，于2021年3月启动建设，按照建设规划，项目将于今年9月底完成全部建设任务，10月初进驻生产设备，力争于今年年底实现投产并形成有效产能。项目达产后，预计可实现年封测DRAM颗粒5.76亿颗，年封装NAND FLASH 3840万颗，年产内存模组3000万条的生产能力，预计可实现年营收28亿元左右，前景无量，未来可期。