美国最新一轮半导体出口管制要点和细节
导语：最新情况显示，美国SWB工业和安全局（BIS）在其官网公布了一系列更全面的出口管制新规，欲限制中国获得先进计算芯片、开发和维护超级计算机以及制造先进半导体的能力。
今天，据此前财联社消息，美国SWB工业和安全局（BIS）以所谓的维护GJ安全为由，把针对中国芯片产业的无理打压再度升级，具体涉及9条新规定，包括将某些先进、高性能的计算机芯片和含有此类芯片的计算机商品添加到商业管制清单、对最终用途在中国的超级计算机或半导体开发及生产应用项目增加新的许可证要求、将某些半导体制造设备和相关项目添加到商业管制清单、对在中国的16纳米以下非平面晶体管结构逻辑芯片或128层以上NAND闪存芯片等先进芯片生产设施增加新的许可证要求等。
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事实上，在此之前，美国ZF曾多次出台芯片领域相关禁令与法案，包括《芯片与科学法案》以及限制相关公司向中国出口高性能GPU等。不过，此次出口管制限制范围更为广泛，影响或许也将更大。
公开资料显示，相关规则如下：
1.将某些先进和高性能计算芯片及含有此类芯片的计算机商品加入《商业管制清单》（CCL）；
2.对中国超级计算机或半导体开发或生产最终用途的项目增加新的许可证要求；
3.将《出口管理条例》(EAR)的适用范围扩大到某些外国生产的先进计算机产品和外国生产的超级计算机终端用途产品；
4.将需要许可证的美国以外国家的生产项目的范围，扩大到位于中国境内的28家现有实体；
5.将某些半导体制造设备和相关项目添加到CCL；
6.对在中国制造的符合规定的半导体制造工厂的设备增加新的许可证要求。中国公司拥有的设施许可证将面临“推定拒绝”，公司拥有的设施将根据具体情况做出决定，具体涉及范畴：具有16nm或14nm以下制程的非平面晶体管结构（FinFET或GAAFET）的逻辑芯片；半间距不超过18nm的DRAM存储芯片；128层或更多层的NAND闪存芯片；
7.限制美国实体在没有许可证的情况下，支持中国境内某些半导体工厂制造、开发或进行生产；
8.对开发或生产半导体制造设备及相关项目的出口项目增加新的许可证要求；
9.建立临时通用许可证(TGL)，通过允许特定的、有限的生产活动，将对半导体供应链的短期影响降至最低。
据悉，上述半导体制造项目限制自10月7日起生效，美国人在支持基于中国本土半导体制造“设施”开发、生产或应用集成电路的能力方面的限制将在10月12日生效，先进计算和超级计算机控制以及规则中的其他更新将在10月21日生效。
更新的出口管制将从多个方面针对中国企业，包括限制美国企业向中国出口关键芯片制造工具，以及限制美国公民和企业向中国的半导体制造厂提供任何形式的直接或间接支持。