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  • MESO技术为摩尔定律续航 CMOS方案或将被取代?

    近日,著名科技杂志《自然》刊登了一则关于下一代逻辑器件的研究论文。这篇论文中,来自英特尔、加州大学伯克利分校和劳伦斯伯克利国家实验室的研究人员描述了一种磁电自旋轨道(MESO)逻辑器件,结合超低休眠特性状态功率,MESO有望将电压降低5倍,功耗

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    2019-01-22 09:40
  • 摩尔定律步入极限,先进制程玩家所剩无几

    根据摩尔定律,集成电路不断向更细微尺寸发展,先进制程是集成电路制造中最为顶尖的若干节点,目前主要为16/14nm及以下节点。先进制程是性能导向型需求的首选,主要应用于个人电脑及服务器CPU、智能手机主芯片、显卡GPU、矿机ASIC、FPGA等领

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    2019-01-08 09:51
  • 华润上华600V半桥工艺实现月产1000片量产

    华润微电子旗下的无锡华润上华宣布,600V半桥工艺(HVIC工艺)已实现每月稳定产出超1000片的量产记录,累计量产逾万片。据华润微电子官方消息,该工艺平台为华润上华在国内Foundry中首家提供,光刻层数少,性价比高,电学参数和成品率稳定,经

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    2019-01-04 09:44
  • 强攻 10 纳米节点 英特尔以色列扩厂获1.85亿美元补助

    虽然日前处理器大厂英特尔(intel)宣布,为了解决14纳米产能不足的问题,预计针对旗下包括在以色列的3座晶圆厂扩产。不过,早在这个计划之前,英特尔在2018年5月时就已经宣布,计划在以色列扩建工厂,并已提交相关申请。如今,以色列政府针对英特尔

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    2018-12-26 10:42
  • 台积电加速推进3nm工艺:要2020年量产!

    据报道,台积电3nm工厂通过环境评测,依据原定时程,全球第一座3nm厂可望在2020年动工,最快2022年底量产,全球半导体产业迈向新纪元。对于台积电来说,加速推进3nm工艺,主要原因是,防止对手三星加快投资脚步,同时也是不希望因为环评案不通过

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    2018-12-20 14:48
  • 8英寸集成电路装备验证工艺线项目在长沙高新区正式破土动工

    军民融合8英寸集成电路装备验证工艺线项目在长沙高新区正式破土动工。军民融合8英寸集成电路装备验证工艺线项目占地面积183亩、总建筑面积12.7万平方米、总投资25亿元,预计2021年竣工投产,达产后预计年产值将超过10亿元。该项目以中国电子科技

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    2018-11-30 09:55
  • SK Hynix宣布研发完成基于1Ynm工艺的8Gb容量DDR4 DRAM芯片

    SKHynix(SK海力士)宣布研发完成基于1Ynm工艺的8Gb(1GB)容量DDR4DRAM芯片。该芯片最高支持3200Mbps,即3200MHz频率,号称可以提供最佳的性能和容量密度。技术指标方面,相较于1Xnm,1Ynm芯片的生产率提高了

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    2018-11-13 11:15
  • 莫大康:三星的代工梦成真

    要:三星是全球存储器老大,去年仰仗价格大幅上扬,它的销售额已经超过英特尔居首位,如今要涉足代工,而且来势汹汹,不可否认全球半导体业呈三足鼎立,英特尔、台积电及及三星,它们各有所长,竞争会十分激烈。作者:莫大康2017年三星高调宣布要进入代工领域

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    2018-11-13 09:18
  • 能效更高,SK海力士1Ynm DDR4芯片研制完成

    11月12日消息,SKHynix(SK海力士)宣布研发完成基于1Ynm工艺的8Gb(1GB)容量DDR4DRAM芯片。该芯片最高支持3200Mbps,即3200MHz频率,号称可以提供最佳的性能和容量密度。技术指标方面,相较于1Xnm,1Ynm

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    2018-11-12 14:02
  • 晶圆代工先进制程跑道 竞速芯片塔尖的“烧钱游戏”

    [在过去,半导体市场的重点一直围绕着传统的芯片微缩,在器件中加入更多功能,然后在每个工艺节点上缩小器件。然而到了最近几年,芯片在每个节点处的微缩都变得更加昂贵和复杂。如今,只有少数人能够负担得起在先进节点上设计芯片的费用][在2018年上半年,

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    2018-10-25 09:10
  • 10nm工艺“难产”:Intel制造业务将一分为三

    据外媒可靠消息,Intel旗下的技术和制造业务将拆分为三个不同部门,显然是10nm工艺迟迟无法大规模量产导致的。据悉,Intel技术与制造事业部(TechnologyandManufacturingGroup)的主管SohailAhmed将在下

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    2018-10-18 09:43
  • 进展顺利,台积电7+纳米明年Q2量产 5纳米研发进度超前

    晶圆代工龙头台积电持续冲刺先进制程,采用极紫外光(EUV)微影技术的首款7+纳米芯片已经完成设计定案(tape-out),支援最多4层EUV光罩。台积电亦加速5纳米制程推进,预计明年4月可开始进行风险试产,支援的EUV光罩层将上看14层,5纳米

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    2018-10-08 09:29

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