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低容量NAND Flash颗粒供货短缺 促使价格往上调整
最近2-3周以来，1Gb和2Gb的NANDFlash颗粒价格呈现持续上涨的情况。根据集邦科技(DRAMeXchange)6月11日的现货收盘价，1Gb和2Gb的价格已经涨到2.48和3.33美元，与上
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DRAM芯片价格大幅下滑 南亚科技第二季将亏损
据国外媒体报道，中国台湾第二大DRAM芯片生产商南亚科技于当地时间本周五表示，由于芯片价格大幅下滑，该公司今年第二季度预计将出现亏损，同时芯片行业的低迷时期也将很快结束。南亚科技全球行销副总裁PaiP
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半导体明后年 复苏成长
全球最大微影设备供货商荷兰艾司摩尔（ASML）财务长韦尼克（PeterWennink）荷兰时间十二日表示，对半导体市场来说，今年会是个盘整的一年，但包括晶圆代工、DRAM、NAND闪存等市场产能供需，
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集邦：NAND Flash 6月价扬
根据集邦科技最新公布的NANDFlash合约价，6月上半月在需求增加下，主流的4Gb、8Gb都全面走扬5%至15%，16Gb也超过10%以上，持续上扬力道，与DRAM相较，NAND的需求明显还在继续走
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现货价飙涨 DRAM族群 士气大振
不让权值股专美于前，DRAM族群昨日在现货报价行情飙涨下，股价异军突起，华邦电（2344）、南亚科（2408）、华亚科（3474）的涨幅三％至六％，创近期新高，模组厂劲永（6145）与宏亿（3079）
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价格战驱动DRAM价格一路走低 便携应用促闪存销售加速增长
三星和海力士(Hynix)在DRAM市场的残酷价格战是最近一个季度价格下降的主要成因之一。与512Mb相当的DRAM的平均售价下降到了2.96美元。价格战和产能过剩将使今年整个内存销售额下降11.1%
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力晶半导体投资25亿台币兴建研发测试中心
力晶半导体投资25亿台币兴建研发测试中心台湾动态随机存取记忆体(DRAM)大厂力晶半导体<5346>周四表示,该公司将斥资25亿台币,兴建整合集团研发团队的研发测试中心,以强化竞争力.力晶
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DRAM现货价大涨后 南科：合约价7月调涨
DRAM现货价自昨起强弹20%，是否为假性需求？南科(2408)发言人白培霖今表示，就目前该公司6月下半合约价已有部分客户报价呈现小涨，以及第三季的订单需求能见度高来看，预估7月合约价就会调涨，至于调
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6月下旬DRAM合约价持平表现
6月下旬DRAM合约价出炉，在市场需求增温下，DRAM合约价顺利止跌回稳，全数持平表现；观察目前DRAM现货价持续强劲反弹，均价已重登2美元关卡，已远高于目前合约均价1.66美元，因此预期7月上旬合约
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iSuppli预测：09年底笔记本PC的SSD配备率将达到12％
美国iSuppli称，笔记本PC的SSD（solidstatedrive）配备率到2009年底将达到12％（英文发布资料）。预测同时使用硬盘和闪存的混合型硬盘的配备率将达到35％。iSuppli预计，
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花旗环球：全球DRAM大厂产能扩充已缩减 有助报价持稳
花旗环球表示，在未来1-2季，有将近5成的DRAM大厂产能设备扩充已有缩减的迹像，这意谓着整体DRAM大厂产能使用率与资本支出已转趋理性发展，将有助于市场DRAM报价的持稳。花旗环球证券南韩半导体分析
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与海力士较劲！三星3Q重返DRAM龙头产出宝座海力士只要毛利率、不要市占率 三
为了巩固NANDFlash产业的市占率，全球记忆体大厂三星电子(SamsungElectronics)2007年在标准型DRAM的产出上，连连吃下败仗！继第1季全球标准型DRAM产出的龙头宝座，被同为
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台DRAM厂凸槌 模组厂无奈DRAM厂这次是铁了心要涨价
DRAM现货市场在端午节连假过后出现戏剧性大涨走势，2个交易日累计价格涨幅逾22%，下游模组厂表示，继茂德因制程转换导致产出不顺，力晶亦传出70奈米制程转换不顺，导致有效测试(eTT)颗粒供货锐减，并
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劲永国际、勤茂DRAM模块市场销量迅猛增长
市场调研机构iSuppli日前表示，2006年DRAM模块市场的亮点是内存供应商记忆科技(RamaxelTechnology)和勤茂科技(TwinMOSTechnologies)的产品销量迅猛增长，增
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现货价大幅回升，激励6月下旬DRAM合约价止跌
记忆体研究机构某机构公布6月下旬DRAM合约价，受到近期DRAM现货价出现反弹激励，合约价未再续跌，加上韩国DRAM厂已计划转移部份DRAM产能到NANDFlash，预估7月合约价有机会出现跌深反弹走
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台积电有意购买韩国海力士8寸晶圆厂
据悉，全球感测元件（CMOSSensor）第2大厂豪威（Omnivison）对台积电扩大下单，产能从每个月2.5万片增加为3.5万至4万片，然而，台积电8寸晶圆厂近期已达满载，为满足豪威，同时也解决8
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6月下旬NAND Flash合约价全面持平
6月下旬NANDFlash合约价出炉，根据调查，包括4Gb、8Gb及16Gb等规格NANDFLASH合约价全面持平表现。虽然目前时序为记忆体市场传统淡季，不过今年第二季NANDFlash在供应商减产效
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Hynix计划减缓产能扩充，激励现货价持续翻扬
由于DRAM大厂Hynix预计将在今年下半年起把部份DRAM产能移转至NANDFlash，将影响全球DRAM产能可能缩减约3%，加上其他大厂纷纷拉抬现货价格，使得近期DRAM报价大涨。根据记忆体研究机
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NAND记忆卡 典范生财利器
消费性IC需求明显转强，中小型导线架封测厂典范，营运续强力道显著，加上即将步入消费性市场旺季，法人圈推估，典范第二季业绩可较首季成长近三成。此外日前才跨足的新产线NAND快闪记忆卡今年底前单月出货量将
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6月下旬DRAM合约价全面持平 南科：7月份合约价即会调涨
根据某机构最新资料，6月下旬DRAM合约价全面持平，目前DDR2512MB模组均价为16.25美元，DDR21GB模组均价为32.5美元，而DDR2512MB颗粒价格均价为1.66美元，皆与6月上旬报
