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开关电源的PCB设计规范
在任何开关电源设计中，PCB板的物理设计都是最后一个环节，如果设计方法不当，PCB可能会辐射过多的电磁干扰，造成电源工作不稳定，以下针对各个步骤中所需注意的事项进行分析:一、从原理图到PCB的设计流程
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应分析好SAR ADC才能为宽广应用开导
本文详述SAR(逐次逼近寄存器型)ADC位结构特点与工作原理并与其它型ADC作比较,以此作出选择。前言逐次逼近寄存器型(SAR)的模拟数字转换器(ADC)是采样速率低于5Msps的中等至高分辨率应用的
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用于流体压力测量的电容传感器
摘要：叙述了电容应变式流体压力传感器的基本原理，给出了一种电容应变式流体压力传感器的检测电路，并分析了流体压力大小与传感器输出电压的关系。实验结果表明，该传感器具有精度高、线性度好、灵敏度大等优点，尤
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电容式传感器特性实验多媒体课件设计
摘要：介绍电容式传感器特性实验原理及测量方法，利用PowerPoint制作了一套多媒体教学课件，重点放在实验过程的数字图像采集和处理制作上，其间穿插具有中南民族大学特色的精美图片、音像片段，让学生在紧
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一种基于AIT2139的视频转换器设计
摘要：AIT2139是一种单片、晶控、全数字视频信号处理器。文章在介绍视频转换芯片AIT2139的基础上，给出了用其设计VGA-TV视频转换器的原理和实现方法。关键词：VGA-TV；视频转换器；AIT
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基于无线收发数传模块PTR2030的温度测控系统设计
摘要：PTR2030是超小型、超低功耗、高速率的无线数传MODEM模块。它性能优异，是目前低功率无线数传应用方面的理想器件。文中介绍了PTR2030的主要特点、引脚功能、软件设计、硬件连接方法及具体应
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最坏情况的电路设计对元件容差的考虑
制造可靠的硬件要求你在设计阶段就应考虑所有的容差。许多参考文献讨论了由于参数偏差引起的有源器件误差，说明如何计算运算放大器失调电压、输入电流以及类似参数的影响，但是考虑无源元件容差的参考文献却寥寥无几
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从FPGA转换到门阵列概述
概述从FPGA或PLD转换到门阵是经济高效的，有时甚至只需几百个单元就能实现。这已经引起越来越多设计者提出同样的问题：这种转换设计需要什么后续技术？事实上转换到门阵面临着许多电路的时序问题，这在FPG
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集成电路系统级封装(SiP)技术和应用
[编者按]此文是中科院院士吴德馨在集成电路粤港台论坛上演讲稿的摘要。对于集成电路系统级封装(SIP)的发展概况及其趋势做了介绍,对于从事此领域工作的读者有指导性意义，本刊特转载。摘要由于集成电路设计水
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具有通讯功能的锅炉液位传感器
摘要：依据现有锅炉液位测试的现状，设计出了一种数字式锅炉液位传感器。该传感器是用单片机及其相关硬件来实现的，利用单片机的并口测量液位数据、串口与上位机进行通讯。经现场几个月的运行，表明该设计合理、可行
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自适应前馈射频功率放大器设计
1.引言现代无线通信的迅猛发展日益朝着增大信息容量，提高信道的频谱利用率以及提高线性度的方向发展。一方面，人们广泛采用工作于甲乙类状态的大功率微波晶体管来提高传输功率和利用效率；另一方面，无源器件及有
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无线局域网NDIS小端口驱动实现
1引言无线局域网经过几年的发展，在技术上已经日渐成熟。尤其是IEEE推出802.11-1999和802.11b以来，应用也日渐广泛。无线局域网硬件实现的两大主要部分是基带处理器和MAC控制器，软件部分
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简化消费类应用DDR存储器电源设计
不论是采用分立元件系统还是高度集成的系统级芯片(SoC)，许多嵌入式消费电子系统都利用了现有系统(如PC或其它成熟的通用系统)的架构。这些嵌入式系统(或子系统)通常不存在对奢侈的灵活性扩展的需求，甚至
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铝电解电容器的现状与发展
电容器是使用最广，用量最大，且不可取代的电子元件，其产量约占电子元件的40％，而铝电解电容器又占三大类电容器（电解电容器、陶瓷电容器、有机薄膜电容器）产量的36.8％。电解电容器是10年来我国发展速度
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电源用电容器的选择
电容器是实现电源的宽范围电压和电流组合的最关键的无源元件之一。尽管每种电容器都能储存电能，但对于特定的应用来说，电介质技术在电容器的选择中起着重要的作用。电容器在电源中最重要的应用是在存储能量、浪涌电
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家用电器电子元器件的检测方法(一)
元器件的检测是家电维修的一项基本功，如何准确有效地检测元器件的相关参数，判断元器件的是否正常，不是一件千篇一律的事，必须根据不同的元器件采用不同的方法，从而判断元器件的正常与否。特别对初学者来说，熟练
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家用电器电子元器件的检测方法(二)
4电位器的检测。检查电位器时，首先要转动旋柄，看看旋柄转动是否平滑，开关是否灵活，开关通、断时“喀哒”声是否清脆，并听一听电位器内部接触点和电阻体摩擦的声音，如有“沙沙”声，说明质量不好。用万用表测试
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系统级芯片嵌入存储器可制造性成本分析
在系统级芯片中嵌入存储器可以提高系统速度、降低功耗以及缩小整体面积，然而在带来性能提升的同时芯片的生产将面临可制造性、成本和面市时间等问题。本文以东芝公司的实际应用情况为例，分析了在嵌入SRAM和DR
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半导体制造中颗粒污染的控制方法研究
摘要：首先分析了半导体制造中颗粒污染的来源，然后介绍了用C控制图进行颗粒污染控制的方法及其不足，进而提出了用多元回归分析进行颗粒污染控制的方法及实施。关键词：污染；成品率；C控制图；多元回归分析1前言
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有关VT/TU交换对边缘网影响的分析：交换过程事倍功半
最近的技术进步有助于缓减网络级、网元级和硅晶片级的高容量VT/TU交叉连接所面临的重重困难，但无法彻底克服这些困难。城域网核心服务以及接入传输服务基于静态设置的固定带宽容器，这些容器位于STS-N层级
