70纳米制程量产在即 台湾DRAM厂优势大增

     DRAM相当重视制程技术微缩，唯有藉由制程技术的微缩，才能进一步降低成本，为此，台DRAM厂为保有DRAM市场竞争优势，不断加紧制程微缩脚步，其中，茂德与力晶便相当积极投入70纳米制程，并已成功试产，近期便可导入量产阶段，据了解，此次70纳米制程量产距离上次90纳米制程量产竟不到1年时间，与上波0.11微米制程量产到90纳米制程量产耗费近2年时间，已大幅缩短。
    
     DRAM厂要仰赖制程技术微缩以及大量投片，才有机会进一步降低成本，台DRAM厂目前大量投入12吋厂，力晶已达旗下共有4座12吋厂，茂德到2007年为止，也将会有3座12吋厂用于投产DRAM，另一方面，制程技术的微缩，也是台DRAM厂目前加紧脚步的方向。
    
     茂德90纳米制程于2006年第二季左右才开始导入量产阶段，第一批晶圆良率便已高达80％以上，可快速导入90纳米制程量产，目前台中晶圆三厂已全数改采90纳米制程，因此，2006年12月全球DRAM价格虽已不再继续成长，但法人估算茂德单月毛利率却仍旧有高达约50％的毛利率。
    
     这主要归功于茂德90纳米制程大量投产，及晶圆三厂投片量大增，而茂德目前更加紧70纳米制程试产脚步，据了解，目前茂德70纳米制程第一批试产的晶圆片已于上周正式产出，原本担忧由于三星电子（Samsung Electronics）过去在投产80纳米制程遇到瓶颈，因此原先预期茂德在70纳米制程恐将遭此困扰，但事实证明，茂德此批70纳米制程良率相当高，与当初90纳米制程第一批产出时的良率不相上下，高达80％左右。
    
     至于力晶同样也已全数改采90纳米制程投产，因此使得力晶目前制造成本已成为全球最低的DRAM厂，董事长黄崇仁便表示，力晶目前成本已低于三星，对于DRAM厂来说，不要担心整体DRAM售价是高是低，最重要的是本身要有竞争力，而竞争力便来自于低制造成本。
    
     力晶70纳米制已于2006年第四季进入试产阶段，目前试产阶段已近告一段落，不久便可开始进入量产阶段，力晶估计将可在第一季末左右开始投产，届时制造成本将可降低30％以上，对于本身毛利率将有进一步帮助。

    

从力晶、茂德90纳米制程量产到70纳米正式进入量产，仅花不到1年时间，法人认为这样的好成绩与过去业界0.11微米制程进入90纳米制程相较，耗费将近1年的时间已是好上许多。