英特尔睡狮醒!三星、东芝NAND Flash梦魇起50奈米制程大战一触即发 3厂口袋深度牵动全球版图变化

来源: 作者: 时间:2007-03-09 15:06

    

       全球NAND型Flash产业正紧锣密鼓进入50奈米制程大战,三星电子(Samsung Electronics)50奈米制程及东芝(Toshiba)56奈米制程即将迈入量产阶段,英特尔(Intel)亦不遑多让,50奈米制程紧接着将在第三季跟上进度,这让三星及东芝近期纷提高备战作业,并密切打探英特尔动向。台系记忆体厂表示,英特尔在NAND型Flash领域就像是蛰伏的巨狮,随时会展现实力,届时绝对会是三星、东芝的终极梦魇,而这场NAND型Flash世纪之战,亦将牵动全球市场版图。
       三星采50奈米制程所生产16Gb容量NAND型Flash晶片近日即将量产出货,而东芝原规划采52奈米制程应战,然因为制程技术及良率问题无法克服,日前已转换到56奈米制程,近期亦将量产出货,更令业界关注的是,英特尔50奈米制程亦正急起直追,尽管推出时程落在第三季,仍落后三星及东芝,但英特尔近来明显加快脚步,让三星及东芝相当紧张,整个NAND型Flash产业正进入下一轮竞赛。
       记忆体厂指出,英特尔进军NAND型Flash还不到2年时间,然蓝图规划可说是滴水不漏,不仅拉拢美光(Micron)合资成立IM Flash,并宣布统一NAND型Flash介面,正式成立ONFI(Open NAND Flash Interface)联盟,结合海力士(Hynix)、Sony、意法半导体STMicroelectronics)等重量级业者,足见英特尔对NAND型Flash布局缜密,尤其英特尔从统一NAND型Flash介面着手,直捣产业最核心处,目前全球除前2大厂三星和东芝外,几乎全已纳入ONFI阵营,英特尔这招结合次要敌人策略,让三星和东芝不得不提高警觉。
       值得注意的是,随着NAND型Flash产业逐步走向成熟化,产业洗牌战已悄悄展开,在瑞萨(Renesas)和奇梦达(Qimonda)先后宣布退出NAND型Flash产业后,近期产业界最热门话题,便是三星和东芝面对英特尔即将产生的冲击,积极探听敌情动态,凸显英特尔以科技巨人之姿跨足记忆体产业,恐将带来巨变。
       记忆体业者表示,NAND型Flash之战比的是制程技术、产品应用和专利(IP),三星和东芝各拥利器,但最重要关键仍是谁的口袋够深,亦即谁的资金实力够雄厚,因为在NAND型Flash产业迈入普及化过程中,必须持续忍受价格剧烈波动,要投入大笔资金来建厂投资,绝对需要前瞻和勇气,这场NAND型Flash大战谁会是最后赢家,业界看法仍纷歧,尽管三星仍处于领先地位,然英特尔口袋够深,且仿佛是蛰伏的狮子,静待成熟时机随时发动攻势,这已让整个产业警戒度直线上升。
       事实上,过去DRAM市场最风光时代曾经百家争鸣,光是日本市场主要玩家就包括东芝、日立、恩益禧(NEC)、富士通、三菱等,各家大厂都曾雄霸一方,然经历DRAM价格大崩盘洗礼,在赤字亏损加剧情况下,陆续淡出标准型DRAM领域或重新整并,市场版图亦出现巨变,而这次NAND型Flash市场主要玩家,不少厂商是由DRAM领域科班出身,早已经历过大风浪,目前枱面上竞逐NAND型Flash厂商可算是重量级战将,如今加上英特尔加入战局,未来NAND型Flash产业厮杀战将会更剧烈。

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