三星：第二季DRAM价格仍有下跌压力 Flash晶片价格第二季仍可维持稳定走势

       三星：第二季DRAM价格仍有下跌压力 Flash晶片价格第二季仍可维持稳定走势
       DRAM跌价 刺激需求扩大
       全球记忆体晶片龙头厂韩国三星电子昨（13）日公布首季财报，半导体事业部门受DRAM记忆体晶片价格崩跌影响，获利较去年同期衰退。三星认为，第二季DRAM价格仍有下跌压力，但低价效应刺激市场需求扩大；NAND Flash晶片价格第二季仍可维持稳定走势。
       继美商美光（Micron）日前揭露年度第一季财报，意外由盈转亏后，三星第一季半导体部门营运表现也同步走淡。营收4.48兆韩元，较去年第四季衰退17%；净利率由上季的31%衰退至12%；营业利益0.54兆韩元，较去年第四季下滑68%，并较去年同期衰退52%。
       台湾DRAM厂法说会也将自下旬陆续展开，由南科、华亚科率先在20日登场，预料也将成为判断未来景气走势的风向球。
       三星认为，第二季DRAM价格仍有下探压力，促使第二季记忆体占个人电脑成本比重，将由第一季的20%降至12%，有助提升对记忆体需求，并扩大Vista在消费市场的渗透率。
       南科认为，本月DRAM价格确实有持续向下修正压力，但5月起可望缓步回升。客户端已反应今年暑假个人电脑采购市况，应该相当不错，有助带动DRAM需求向上，景气最快第二季末便会由谷底反弹。
       在NAND Flash市况方面，三星第一季位元成长率为47%，第一季初价格疲弱，市场需求兴起，造成季末价格快速向上弹升。三星认为，未来在手机及数位相机对记忆卡需求持续增温，且晶片制造商面临下一世代制程良率提升等问题，产出量仍不敷市场需求，预估第二季NAND Flash价格仍将走稳。
       巴黎证券认为，NAND Flash价格止稳可期，DRAM族投资价值将浮现，因此顺势调高台湾DRAM族群评等，由原先的“中立”调高至“加码”，且下游记忆体模组厂未来的表现，将高于晶片制造厂；摩根士丹利也认为，DRAM族群未来三至五个月价格都将有反弹空间。