放弃DDR400? 三星DDR-Ⅱ内存芯跳533MHz

     （华强电子世界网讯） 5月28日，内存芯片制造业龙头三星电子宣布，它已成功开发出全球首颗512Mb DDR-Ⅱ内存芯片，这款芯片工作频率为533MHz，最高可达667MHz，工作电压为1.8伏，具备驱动校正（OCD）与搭载终端（ODT）等功能，采用60接点的BGA封装技术，完全符合今年3月时JEDEC制定的DDR-Ⅱ标准。
    
     三星这次加速DDR-Ⅱ开发与量产进程的举动，引起了业界的充分关注，业内人士认为，DDR主流标准将有可能直接跳过DDR400，由现在的DDR333直接转入DDR-Ⅱ时代。
    
     内存业认为DDR将在今年下半年取代SDRAM，成为市场主流产品，因此全球内存芯片制造商都在自己今年的生产能力与制造工艺提升计划中，以DDR为主要量产产品。不过由于芯片组与微处理器的时钟速度已非常“超前”，因此在DDR333标准成为主导后，市场和业界都对下一代主流产品应选择DDR-Ⅱ、还是DDR400一直争论不休。
    
     而据了解，主导内存芯片产品标准的JEDEC在今年3月份召开的会议中，仅承认了DDR-Ⅱ标准，DDR400并未成为公认的产品标准，这对极力推动DDR400成为下一代市场主流的三星电子与Micron来说，未来它们也有可能被迫放弃DDR400。另据悉，根据三星日前公布的相关资料，三星原本计划在第二季度与威盛、矽统、nVIDIA等厂商合作，推出DDR400芯片与芯片组产品，不过这一计划至今仍未见到具体成果。相反，而三星目前与IBM合作开发出DDR-Ⅱ芯片，并计划提早至2003年下半年投入量产，这些举措均表明：三星对下一代内存产品计划已经发生了改变，由DDR400转向了DDR-Ⅱ。
    
     业内人士称，虽然现在DDR266或DDR333还未成为市场主流，但各家内存芯片制造商最近公布的产品技术蓝图上，下半年均已确定将生产DDR333内存产品，因此下半年DDR333取代DDR266、成为市场主流标准的态势基本上已经确定。