DDR-2行将问世，内存厂商放慢推出高速DDR400

DDR-2行将问世，内存厂商放慢推出高速DDR400

     (华强电子世界网讯) 近期，由于考虑到制造测试成本问题，许多内存厂商都不打算批量生产400Mbps DDR-1器件的双重内嵌式内存模块(DIMM)。
    
     如果DDR400规范最终面市，可能也只会在诸如图形卡等专业应用领域取得有限突破。但就最近几家内存厂商的动向来看，对PC生产商而言，要超越333Mbps速率的话，更有可能出现的情况是从第一代DDR(DDR-1)升级到下一代DDR-2器件。DDR-2规范将允许更高的数据传输速度，能在每个时钟周期以并行模式写入更多的存储阵列。
    
     美光科技战略营销经理Mike Seibert表示，DDR400可能用于某些场合，但他认为DDR400不会切入主流台式机市场。他指出，英特尔正开发533MHz前端总线，DDR-1速度达不到这么高，再在这方面投资毫无前途。
    
     Elpida Memory公司也视333Mbps为PC DDR-1的取舍点。该公司销售副总裁Jim Sogas表示：“DDR400也许可行，但成为主流还需要时间。即便对于PC100的SDRAM而言，转到PC133也还有一段路要走。”
    
     此外，DDR制造商声称，设计、测试和生产支持DDR400的模块需付出相当努力才行。图形应用通常不必要求速度越高越好，因为内存负荷是固定的，并且比PC主存小很多。
    
     但生产内存仿真模型和控制器IP的Denali Software公司则表示，越来越多的客户要求设计高速内存子系统。该公司内存市场分析师Lane Mason表示：“对于ASIC制造商而言，由于时钟速率不断攀高，我们必须应用的工程支持量增长速度很快。”
    
     此外，内存厂产商还关注制造速度更快型号的DDR-1所带来的成本压力问题。美光公司的Seibert认为，“400Mbps的DDR-1规范速度太快，实际效果不会理想”。
    
     亿恒科技产品营销总监Chee Ho表示：“如果我们跟随DDR400规范，就不得不重新设计存储器内核，那将付出两年的努力。”
    
     更为关键的是，DDR400的产品周期很可能会被缩短，因为DDR-2架构行将推出。这样一来就会拖DRAM厂商的后腿。例如，据Chee Ho介绍，过去四年中，亿恒推出了五种架构。他表示：“在DDR400的研发上很难得到回报，因为产品周期太短了。对于一种内存而言，只18个月就会发展到极限。”
    
     DDR333周期同样也不会太长。台湾内核逻辑供应商今年开始供应DDR333芯片组，但大批量的市场需求预计到明年才会出现。DDR-2芯片组预计也将在明年面市，2004年或是2005年才会投入批量生产。