大陆抢补库存 DDR2涨价近12％
DRAM价格昨（三十）日出现大涨走势，有效测试（eTT）颗粒涨幅逼近一二％，原厂颗粒（Original）价格也出现五％至七％涨幅，不过DRAM通路商表示，由于DRAM价格已跌入DRAM厂的成本区间，在预期价格已触底情况下，前（二十九）日下午来自大陆市场买盘就积极进行库存抢补，台湾及香港现货价昨日才反应此一现象，然因买货需求并非来自于终端市场，需求强度可否持续，并支撑价格站上三美元以上，仍有待后续观察。
DRAM现货价昨日出现跌深后急涨反弹现象，主要买盘来自于大陆市场库存回补，由于买家抢补的原因，是认为DRAM现货价跌落二．七美元至三美元的总成本区间，DRAM厂为了不赔钱卖货，除了降低出货量外，也会将产能移转生产NAND闪存、绘图卡用GDDR、CMOS影像传感器等利基型产品，所以在预期DRAM价格已触底的情况下，才以三美元左右高价回补库存。
在库存回补的需求带动下，五一二Mb有效测试DDR2价格昨日大涨近一二％，均价已站上二．九美元，当然原厂颗粒也出现五％至七％涨幅，价格回升至二．九五美元至三美元间。由于下周即将进入第二季，在季底作帐压力解除后，价格有可能持续反弹数日，不过反弹幅度是否续强，许多业内人士及交易商都保持且战且走的观望态度。
包括茂德董事长陈民良、华亚科技总经理高启全等业者均指出，第二季是传统DRAM淡季，微软Vista操作系统带动的需求，要等到下半年才会明显发挥效应，因此DRAM景气应会在第二季中下旬触底，第三季后再缓步回升。业界高层也认为，这波DRAM价格快速下滑，一定会刺激需求增加，只是需求不会突然浮现，需要三至六个月的时间来调整供需，但如果DRAM价格跌势愈快，景气落底反弹的时间也会早点到来。
DRAM现货价昨日出现跌深后急涨反弹现象，主要买盘来自于大陆市场库存回补，由于买家抢补的原因，是认为DRAM现货价跌落二．七美元至三美元的总成本区间，DRAM厂为了不赔钱卖货，除了降低出货量外，也会将产能移转生产NAND闪存、绘图卡用GDDR、CMOS影像传感器等利基型产品，所以在预期DRAM价格已触底的情况下，才以三美元左右高价回补库存。
在库存回补的需求带动下，五一二Mb有效测试DDR2价格昨日大涨近一二％，均价已站上二．九美元，当然原厂颗粒也出现五％至七％涨幅，价格回升至二．九五美元至三美元间。由于下周即将进入第二季，在季底作帐压力解除后，价格有可能持续反弹数日，不过反弹幅度是否续强，许多业内人士及交易商都保持且战且走的观望态度。
包括茂德董事长陈民良、华亚科技总经理高启全等业者均指出，第二季是传统DRAM淡季，微软Vista操作系统带动的需求，要等到下半年才会明显发挥效应，因此DRAM景气应会在第二季中下旬触底，第三季后再缓步回升。业界高层也认为，这波DRAM价格快速下滑，一定会刺激需求增加，只是需求不会突然浮现，需要三至六个月的时间来调整供需，但如果DRAM价格跌势愈快，景气落底反弹的时间也会早点到来。