库存回补 DDRII现货大涨
有效测试（eTT／uTT）动态随机存取内存（DRAM）现货价昨（30）日止跌弹升，512M DDRII现货价大涨9.24%，颗粒均价回到2.84美元。明显的弹幅是否代表DRAM春天不远？台内DRAM业者认为，这波反弹纯属补库存效应，需求尚不明显，正式弹升的时机还是有待观察。
2月下旬以来由闪存价格回温带动的内存景气似乎有加温的迹象，闪存现货报价昨天各规格产品涨幅在3.4%~6.8%之间，主流的8Gb最高报价已经回到9.1美元，也带动DRAM现货价格上扬，512M DDRII现货价格下周将有机会挑战3美元。
产品报价上涨，DRAM股昨日几乎全面上扬，力晶（5346）上涨0.3元，收盘价19.8元，逐渐摆脱司法阴影，下周有机会重回20元整数关卡；茂德（5387）劲扬0.65元，收盘价12.85元，关系企业茂硅（2342）更是直拉涨停板，收盘站上40元，每股价位来到40.6元。
根据集邦科技昨报价信息显示，DRAM现货价昨日持续近期的反弹走势，其中，DDRII 512Mb 667MHz主流品牌颗粒价格较前日上涨2.75%，DDRII 512Mb eTT更大涨9.24%。
不过，台湾DRAM厂商分析，这波DRAM反弹，系因DRAM价格大跌进入3美元以下的成本区，部分大陆贸易商预期DRAM制造厂开始将产能转作Falsh，因此趁机回补库存，营造出需求增加产生的效果。
业者进一步认为，昨日DRAM现货价一度大涨，还有部分原因是昨日是第一季最后一个工作天，部份厂商不想出货，导致供给消失，然而，这股供给动能一旦在下周开始涌出，加上OEM端的库存仍未去化，这波反弹走势是否能继续拉抬，仍有待观察。
2月下旬以来由闪存价格回温带动的内存景气似乎有加温的迹象，闪存现货报价昨天各规格产品涨幅在3.4%~6.8%之间，主流的8Gb最高报价已经回到9.1美元，也带动DRAM现货价格上扬，512M DDRII现货价格下周将有机会挑战3美元。
产品报价上涨，DRAM股昨日几乎全面上扬，力晶（5346）上涨0.3元，收盘价19.8元，逐渐摆脱司法阴影，下周有机会重回20元整数关卡；茂德（5387）劲扬0.65元，收盘价12.85元，关系企业茂硅（2342）更是直拉涨停板，收盘站上40元，每股价位来到40.6元。
根据集邦科技昨报价信息显示，DRAM现货价昨日持续近期的反弹走势，其中，DDRII 512Mb 667MHz主流品牌颗粒价格较前日上涨2.75%，DDRII 512Mb eTT更大涨9.24%。
不过，台湾DRAM厂商分析，这波DRAM反弹，系因DRAM价格大跌进入3美元以下的成本区，部分大陆贸易商预期DRAM制造厂开始将产能转作Falsh，因此趁机回补库存，营造出需求增加产生的效果。
业者进一步认为，昨日DRAM现货价一度大涨，还有部分原因是昨日是第一季最后一个工作天，部份厂商不想出货，导致供给消失，然而，这股供给动能一旦在下周开始涌出，加上OEM端的库存仍未去化，这波反弹走势是否能继续拉抬，仍有待观察。