DRAM英雄暮年倍受冷落 闪存春风得意
(华强电子世界网讯) 作为半导体市场睛雨表的DRAM，受益于全球半导体产业的复苏，自2003年下半年来需求高涨，主要的DRAM厂商也先后摆脱亏损实现了赢利，并在各大市场研究公司发布的排名榜上风光无限。然而，成熟的PC市场已经没有太多的想象空间，资本投资大、制造成本偏高、利润日薄已经使DRAM成为鸡肋市场。相反，由于无线通信和消费电子市场的火爆，他们将目光更多转向了更为紧俏的闪存上。
继最近《金融时报》报导全球第三大DRAM厂商英飞凌计划剥离占销售额40%的DRAM业务后，日前道琼斯(Dow Jones)又报导说，全球第二大DRAM生产商美光(Micron Technology)计划扩大其非DRAM销售。几年前，NEC、三菱、日立、东芝等巨头曾先后剥离DRAM业务，但英飞凌和美光的举动引人震惊在于，他们在DRAM市场上表现良好。市场研究机构iSuppli的数据显示，2003年英飞凌和美光的DRAM销售额分别增长了43%和18.4%。
报导援引美光首席执行官Steve Appleton的话称，美光预期，非DRAM产品占其处理的晶圆的比例将在2004年底前达到20-25%，而目前则占12-15%。同时，到2007年，美光的业务预计将有40%左右来自非电脑领域的客户，而截止到2003年8月28日的上个财年则为18%左右。在2003财年，美光的销售收入有96%来自DRAM销售，82%的销售额来自PC市场。
“在战略层面上，我们已决定牺牲纯核心计算DRAM晶圆业务，以提高其它产品所占的比例。”报导援引Appleton的话说。
但报导同时强调，Appleton并不是想逐步退出DRAM市场。“我们喜欢自己在DRAM市场中的地位。”报导援引Appleton的话说。
据悉，美光将扩大图像传感器芯片业务，并计划在2005年开始利用NAND技术生产闪存产品。
而英飞凌目前已经开始生产闪存产品，该公司曾在2004年初宣布，其位于德累斯顿的200毫米DRAM工厂已经开始生产512Mb NAND兼容闪存芯片。到2004年底，英飞凌公司计划每月制造超过10,000片晶圆，采用170纳米制造工艺。而2007年，该公司更希望在NAND市场成为前三甲。
“NAND闪存市场有可能是将来发展最快的存储器产品，”英飞凌公司闪存业务部总裁兼总经理Peter Kuecher表示，新推出的512Mb闪存采用TSOP封装，将定位在移动存储产品市场，如SD、MMC、闪存卡和记录棒，这些产品将主要用在数码相机和PDA产品中。
不仅是美光和英飞凌已经淡看DRAM产品，就连DRAM市场的老大三星电子也把主要精力转向了闪存和LCD上。由于三星电子将重心转向NAND闪存，虽然2003年整体DRAM市场增长了11.9%，2003年三星电子的DRAM销售额却下降了0.8%，市场份额也由32.2%下降到28.6%。
2004年，三星电子计划将闪存产能提高一倍，然而DRAM上的资本支出却大大减少。2004年三星的IC资本支出预计为59亿美元，高于2003年的51.4亿和2002年的31亿美元。但该公司对于内存方面的资本支出预计将由2003年的32.4亿美元下降至13亿美元。它的LCD支出预计将由2003年的14.7亿劲升至23亿美元。
更重要的是，三星电子过去一直是将最新的半导体处理工艺用于制造DRAM，但2003年该公司进行了战略调整，NAND闪存成为三星电子最新技术的推动器。这家韩国公司曾在2003年10月证实，将在2004年推出70纳米NAND闪存，这比使用同样工艺生产DRAM要早整整一年。
三星电子内存业务部副总裁Jon Kang表示，该公司采用70纳米工艺制造的4Gb NAND闪存样片将在2004年第三季度面世，同年第四季度将限量生产。三星将会使用类似的80纳米工艺生产512Mb DRAM，但时间不会早于2005年第三季度。
他表示，“我们将会把最新的工艺用于制造闪存，时间比DRAM更早。”三星已经在使用90纳米工艺生产2Gb NAND闪存，这也比同样工艺的DRAM要早一年。
市场研究公司IC Insights最近公布的数据显示，2004年第一季度全球IC出货量比2000年第一季度增长了30%，整体市场已经超过了半导体产业高峰的2000年。IC Insights还指出，而与2000年同期相比，2004年第一季度18种主要产品中有6种销售收入超过四年前，另外有8种产品的销售收入较2000年同期下滑超过11%，其中包括DRAM。
IC Insights解释说，由于EPROM、SRAM、MOS门阵列、digital bipolar和ROM这些产品已经进入产品生命周期的后期，因此销售收入再也无法回复到2000年的巅峰。
英飞凌和美光看淡DRAM市场
继最近《金融时报》报导全球第三大DRAM厂商英飞凌计划剥离占销售额40%的DRAM业务后，日前道琼斯(Dow Jones)又报导说，全球第二大DRAM生产商美光(Micron Technology)计划扩大其非DRAM销售。几年前，NEC、三菱、日立、东芝等巨头曾先后剥离DRAM业务，但英飞凌和美光的举动引人震惊在于，他们在DRAM市场上表现良好。市场研究机构iSuppli的数据显示，2003年英飞凌和美光的DRAM销售额分别增长了43%和18.4%。
报导援引美光首席执行官Steve Appleton的话称，美光预期，非DRAM产品占其处理的晶圆的比例将在2004年底前达到20-25%，而目前则占12-15%。同时，到2007年，美光的业务预计将有40%左右来自非电脑领域的客户，而截止到2003年8月28日的上个财年则为18%左右。在2003财年，美光的销售收入有96%来自DRAM销售，82%的销售额来自PC市场。
“在战略层面上，我们已决定牺牲纯核心计算DRAM晶圆业务，以提高其它产品所占的比例。”报导援引Appleton的话说。
但报导同时强调，Appleton并不是想逐步退出DRAM市场。“我们喜欢自己在DRAM市场中的地位。”报导援引Appleton的话说。
据悉，美光将扩大图像传感器芯片业务，并计划在2005年开始利用NAND技术生产闪存产品。
而英飞凌目前已经开始生产闪存产品，该公司曾在2004年初宣布，其位于德累斯顿的200毫米DRAM工厂已经开始生产512Mb NAND兼容闪存芯片。到2004年底，英飞凌公司计划每月制造超过10,000片晶圆，采用170纳米制造工艺。而2007年，该公司更希望在NAND市场成为前三甲。
“NAND闪存市场有可能是将来发展最快的存储器产品，”英飞凌公司闪存业务部总裁兼总经理Peter Kuecher表示，新推出的512Mb闪存采用TSOP封装，将定位在移动存储产品市场，如SD、MMC、闪存卡和记录棒，这些产品将主要用在数码相机和PDA产品中。
三星也将重心转向闪存
不仅是美光和英飞凌已经淡看DRAM产品，就连DRAM市场的老大三星电子也把主要精力转向了闪存和LCD上。由于三星电子将重心转向NAND闪存，虽然2003年整体DRAM市场增长了11.9%，2003年三星电子的DRAM销售额却下降了0.8%，市场份额也由32.2%下降到28.6%。
2004年，三星电子计划将闪存产能提高一倍，然而DRAM上的资本支出却大大减少。2004年三星的IC资本支出预计为59亿美元，高于2003年的51.4亿和2002年的31亿美元。但该公司对于内存方面的资本支出预计将由2003年的32.4亿美元下降至13亿美元。它的LCD支出预计将由2003年的14.7亿劲升至23亿美元。
更重要的是，三星电子过去一直是将最新的半导体处理工艺用于制造DRAM，但2003年该公司进行了战略调整，NAND闪存成为三星电子最新技术的推动器。这家韩国公司曾在2003年10月证实，将在2004年推出70纳米NAND闪存，这比使用同样工艺生产DRAM要早整整一年。
三星电子内存业务部副总裁Jon Kang表示，该公司采用70纳米工艺制造的4Gb NAND闪存样片将在2004年第三季度面世，同年第四季度将限量生产。三星将会使用类似的80纳米工艺生产512Mb DRAM，但时间不会早于2005年第三季度。
他表示，“我们将会把最新的工艺用于制造闪存，时间比DRAM更早。”三星已经在使用90纳米工艺生产2Gb NAND闪存，这也比同样工艺的DRAM要早一年。
市场研究公司IC Insights最近公布的数据显示，2004年第一季度全球IC出货量比2000年第一季度增长了30%，整体市场已经超过了半导体产业高峰的2000年。IC Insights还指出，而与2000年同期相比，2004年第一季度18种主要产品中有6种销售收入超过四年前，另外有8种产品的销售收入较2000年同期下滑超过11%，其中包括DRAM。
IC Insights解释说，由于EPROM、SRAM、MOS门阵列、digital bipolar和ROM这些产品已经进入产品生命周期的后期，因此销售收入再也无法回复到2000年的巅峰。
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(编辑 甘心)