Hynix：无锡厂拟用90奈米制程生产NAND型闪存

     (华强电子世界网讯) 据海外消息，Hynix江苏无锡厂已开始建构厂房，预定在今年底完工。同时，预定在今年9月开始移入设备，建构生产线。
    
     业内消息通指出，Hynix原本计划先行于无锡厂采用0.11微米制程生产DRAM，然由于NAND型闪存需求增加，因此Hynix拟改变策略，采用更先进的90奈米制程，先行生产NAND型闪存。
    
     目前Hynix预定在今年9月，将京畿道利川M6-Line的部份8寸晶圆（200㎜）设施移转到无锡厂，并在今年11~12月完成Set-up，试行运转。
    
     与Hynix携手投资兴建无锡厂的STMicroelectronics（意法半导体）相关人员表示，无锡厂预定自明年初开始，月加工2万片8寸晶圆，工作人员约1,500名。
    
     另外，Hynix与意法半导体总计将于无锡厂投资20亿美元，今年计划投入3.75亿美元兴建8寸厂，并在2006年着手建构12寸厂。
    
    

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