DRAM UTT现货价 冲破7美元创新高

DRAM UTT现货价 冲破7美元创新高

     （华强电子世界网讯）虽然研究机构认为DRAM现货价格过热，但报价仍续扬，昨天UTT（未经完整测试芯片）均价突破7美元，来到历史最高价。模块厂商指出，本波并非凭空喊价，是真有实质需求，包括戴尔等PC大厂进场抢货是涨价主因，预期到年底前将维持7美元附近，对一线模块厂好，但对二线厂冲击大。
    
     需求激增
    
     根据DRAMeXchange（集邦科技）报价，512M DDR2现货UTT报价来到7~7.17美元，均价7.03美元，单日上涨0.97%，创UTT上市交易来最高价位；DDR2 667MHz现货价则在6.5~7.3美元间，均价6.81美元，单日涨幅0.56%。
    
     戴尔等PC厂进场抢货
    
     虽然集邦科技预估，DRAM现货短线涨幅过大，报价有修正疑虑，以历史数据观察，DRAM现货价格与合约价的价差通常会在正负4%内，而且DDR2现货价已接近7美元，上涨空间实属有限，因此未来以现货价回档来修正与合约价的价差机会较大。
    
     模块界大老则指出，本波DRAM涨价并非凭空喊价，而是真有实质需求，加上部分贸易商炒作，即使被认为已经涨过头，不过市场买气还是不断，而本波DRAM涨价主要动力是因合约市场缺货，包括戴尔等PC大厂到现货市场抢货是涨价主因。因此在需求强劲下，即使短线回文件，幅度也很小，预期年底前都将维持在6.5~7美元附近价位。
    
     目前合约市场因一线品牌计算机大厂为因应微软Vista上市后，计算机硬件可以配合，因此新款计算机内存搭配容量都高达1GB，对DRAM消耗大。
    
     三星：定单缺口达3成
    
     南韩三星电子（Samsung）日前就指出，目前合约定单缺口高达3成，而南科（2408）全球营销业务副总白培霖日前也说，目前南科仅能满足7~8成的合约定单。
    
     由于DRAM价格飙涨，近期模块厂的采购都相当紧张，不但必须随时盯紧价格走势，还要频频跑供货商，确保供应不短缺。模块厂指出，价格上涨对于一线大厂是好消息，在不刻意堆库存情况下，2~3天生产流程中，可能就让售价多卖5~10%，毛利率也明显提高。
    
     一线厂售价增5~10%
    
     另外，包括威刚（3260）、创见（2454）、劲永（6145）等一线大厂，由于有采购优势，不但进货价格较优惠，也不担心拿不到足够的货，因此第3季营收及获利状况都会大幅成长，荣景一路旺到年底。
    
     至于小型模块厂近期就出现购料危机，不仅高涨的成本让公司吃不消，同时要担心拿不到足够DRAM，错失年度旺季商机，逼得高阶采购主管或老板，频频拜会DRAM厂高层固桩，甚至自动提高价格采购。
    
     群联毛利率攀升20%
    
     除DRAM外，近期NAND Flash（储存型闪存）价格也有转强趋势，集邦科技观察，今年9、10月终端产品应用市场对NAND需求，相较于今年第2季、7~8月需求的确有倍增现象，主要原因在于下游目前已开始在为第4季的耶诞旺季备料生产终端产品，原则上9、10月NAND现货价应会呈现往上涨趋势。群联（8299）总经理潘健成昨天在法说会也指出，此波NAND涨幅将持续到10月底，群联毛利率将从10%低点快速回升到20%以上。