IM Flash在NAND市场投下一颗震撼弹

IM Flash在NAND市场投下一颗震撼弹

     （华强电子世界网讯）根据EE Times报导，IM Flash Technologies宣布该公司将推出采用50奈米技术的4-Gbit NAND闪存产品，可以说在这个高度竞争的市场上投下一颗震撼弹，因为55奈米或50奈米node一般预期必须到今(2006)年底或明年初才会有业者采用，IM Flash这项宣布，宣告了该公司在程序技术上领先了Toshiba与Samsung。
    
     IM Flash由Intel与Micron携手成立，虽是最晚进入NAND领域的重要业者，但颇被分析家看好，原因就在于它结合了Intel的NOR MLC与Micron在DRAM与NAND的专长。Micron在商品化内存市场拥有丰富的经验，该公司是DRAM市场的领导供货商之一。该公司在高度竞争的DRAM市场采用的策略不同于Samsung，并不会非常积极寻求技术的最领先地位，该公司虽然也会采用先进的程序技术，但更着重于降低成本以取得竞争优势。而Intel之前在NOR领域透过MLC技术与StrataFlash而在技术与成本上领先产业，虽然Spansion近年急起直追，不过Intel还是进展到65奈米而保有技术领先的地位。