日立新IC集成MOSFET和肖特基势垒二极管

日立新IC集成MOSFET和肖特基势垒二极管

     （华强电子世界网讯）　日立公司的HAT2180RPIC复合功率MOSFET将两个MOSFET和一个肖特基势垒二极管集成在8.65×6.1×1.75mm的SOP-14封装内，适用于笔记本电脑、小型马达控制的非隔离dc/dc转换器。
    
    　　HAT2180RPIC采用该公司第八代工艺生产，其导通电阻和开关损耗较低。这种用于高档开关的MOSFET其导通电阻比前代产品低43%，但用于低档开关的MOSFET的效率高3%。由于集成了肖特基势垒二极管，所以噪声较低。
    
     高、低档MOSFET的漏源电压30V，功耗分别为2W和3W。高档开关MOSFET最大过流10A，集成了肖特基势垒二极管的低档开关MOSFET过流16A。
    
     HAT21180RP已开始供货，10000片采购时价格约82美分。