长鑫科技DRAM全球市占首破10%

市场研究机构Counterpoint Research发布的最新数据显示：2026年第二季度，长鑫科技（CXMT）的DRAM营收份额达到10%，位列全球第四，这是中国存储厂商在全球DRAM市场首次达到双位数份额。

份额连续多季度提升

长鑫科技的DRAM营收份额近三年持续上升：

2023年：全球营收份额不足1%；

2025年第二季度：4%；

2026年第一季度：8%；

2026年第二季度：10%，同比提升4个百分点、环比提升2个百分点。

同一季度，三星电子以38%的份额位居第一，SK海力士25%位居第二，美光24%位居第三。三大原厂合计份额为87%，低于上年同期的94%，为十年来首次降至九成以下。

Counterpoint曾在今年8月初预估长鑫科技第二季度份额约为7%。长鑫科技发布上半年财报后（营收1503.1亿元人民币、同比增长873.64%，净利润776.05亿元、同比扭亏为盈），Counterpoint将该数据修正至10%。Counterpoint和瑞银此前对长鑫达到10%份额的时间预测均为2028年。

全球DRAM市场供需结构变化

第二季度全球DRAM市场营收同比增长385%、环比增长57%，增长主要由AI相关需求带动。

同期，三星、SK海力士、美光将部分先进产能转向HBM（高带宽内存）。美光曾公开说明，其产线转向HBM约需3:1的晶圆换算——每将一片晶圆用于HBM，相当于减少约三片DDR5晶圆的产出。常规DRAM（DDR5、LPDDR5X）供应相应收紧。

长鑫科技同期依托合肥基地扩产，DDR5、LPDDR5X出货量上升。据市场机构信息，其产品定价与韩美同类产品差距约5%-10%。

在产品线方面，长鑫科技目前的状态为：

DDR5已规模量产；

LPDDR6于8月29日宣布量产，峰值速率12800Mbps，为全球首家将该标准产品落地商用的厂商；

10667Mbps高速率LPDDR5X完成首次量产应用；

HBM3E已启动小批量生产，并向国内AI芯片厂商送样，计划2027年扩大规模。

DRAM市场集中度出现变化。三强合计份额87%、较上年同期下降7个百分点。长鑫科技近三个季度保持约2个百分点/季的份额增速，其后续走势取决于产能扩张节奏与市场需求变化。

国产存储厂商在两条产品线的份额均在上升。NAND领域，长江存储的出货份额此前已进入全球前三（本号8月13日报道）；DRAM领域，长鑫科技本季度份额达到10%。两家厂商分别位于合肥与武汉。

HBM市场仍由三家原厂主导。按Counterpoint口径，HBM营收份额中SK海力士约50%、三星约33%、美光约18%。长鑫科技的HBM3E处于小批量生产与送样阶段，距规模出货仍有距离，其对国内AI芯片厂商存储供应的实际影响，尚待后续观察。

*本文消息来源于网络，由华强微电子整理，仅供交流学习之用。

关注电子行业精彩资讯，关注华强资讯官方微信，精华内容抢鲜读

关注方法：添加好友→搜索“华强微电子”→关注

或微信“扫一扫”二维码