Spansion与英特尔在NOR闪存市场展开新一轮角逐

Spansion与英特尔在NOR闪存市场展开新一轮角逐

     (华强电子世界网讯) 在日前第十届国际集成电路展(IIC)上，Spansion公司展示了据称目前最高密度的NOR闪存——单芯片512Mb的NOR闪存，并且还展示了萨基姆(Sagem)公司采用该闪存的一款手机。“我们的512Mb NOR闪存是目前进入量产的单片最高NOR闪存。”该公司副总裁王光伟表示。Spansion公司由AMD和富士通公司的闪存部门合并而成，该公司在2004年正式更名为Spansion LLC。
    
     目前，英特尔与Spansion公司是垄断NOR闪存市场的两巨头。据调研公司iSuppli公司的数据显示，虽然2004年全年Spansion在该领域的份额超过了英特尔，但是在后两个季度英特尔的销售量又超过前者，据分析是英特尔在嵌入式市场的优良销售业绩帮了他的忙。这两个在NOE闪存市场经常上演二人转的公司在2005年将会展开更激烈的角逐。
    
     就在Spansion在IIC展会上发表量产的512Mb闪存时，英特尔公司也宣布了全新的StrataFlash(r) 嵌入式存储器，主要面向家电、工业和有线通信等市场领域的嵌入式应用，看来英特尔决心要巧固在该领域的优势。全新英特尔StrataFlash(r) 嵌入式存储器产品家族将提供从64 MB到1 GB的广泛密度，密度为64 Mb - 512 Mb的产品将于2005年第二季度推出，密度为1 Gb的设备将于2005年下半年推出。
    
     但是，Spansion在中国的手机厂商中似乎有很好的人缘，具王光伟称中国前10名的手机厂商均采用了该公司的闪存产品，去年它在手机市场的销售额占了该公司总销售额的七成以上。“手机中对NOR闪存的需求增长迅速。”他预测道：“2005年，256Mb的NOR闪存将是手机的主流配置；而明年手机闪存的主流配置将达到512Mb。”王光伟表示。“我们拥有涵盖大部分容量的产品，并且它们都采用了统一的产品架构和产品接口。这一点非常重要，因为它意味着电话制造商可以在无需改写软件的情况下，继续扩充它们的产品线。”他补充说。
    
     支持Spansion不断提升密度的是其屡获殊荣的MirrorBit技术，它是一种先进的每单元存储双比特的技术。“与其它竞争对手每单元多存储位的MLC浮门技术相比，MirrorBit技术制造流程减少10%，关键掩膜步骤减少40% ，良品率提高30%，尤其是在高容量产品领域。”王光伟说道。此次推出的单片512Mb NOR闪存就是基于该技术，下一步是计划在2005年推出1Gb密度的产品。此外，为了加强移动电话的安全性，Spansion为其闪存提供高级扇区保护，这是一种基于硬件的闪存安全系统。高级扇区保护可以利用64位密码，防止关键的操作系统代码、电话身份标识信息和重要的系统设置遭受未经授权的窜改。
    
     但是，英特尔公司副总裁兼闪存产品事业部总经理Darin Billerbeck也表示：“英特尔已经验证的第四代MLC技术可为嵌入式产品客户提供出色的性价比优势。StrataFlash 嵌入式存储器是我们的每位成本（cost-per-bit）最低的解决方案。”
    
     然而，Spansion还有一个杀手锏。他们计划在今年推出一种称为ORAND的闪存，它既具有NOR闪存的快速随机读写，快速顺序读写和极高的可靠性，同时也具有NAND闪存的快速写入、低成本和高容量特点，“它的目标是同时需要NAND和NOR闪存的应用，ORNAND可以同时减小用户的芯片数量和成本。”王光伟表示。他透露今年将推出1Gb密度的ORNAND闪存，价位将与NAND闪存具有竞争性。ORAND技术将是Spansion进一步扩充市场的有力武器。
    
     在NOR闪存市场，除了英特尔和Spansion外，还有一些新的竞争者值得关注，如台湾华邦电子在IIC上展示了32Mb的NOR闪存，并表示该产品与Spansion的产品兼容。