中国半导体存储器市场增速趋缓（图）
(华强电子世界网讯) 2004年：数字应用推动市场发展。
2004年中国半导体存储器市场规模仍然保持了高速增长，但是由于价格降低，市场规模增速由2003年的48.2%降低为26.4%。由于中国消费电子以及移动电话产业增长速度逐渐放缓，存储器市场需求也逐渐趋缓，2005年，中国半导体存储器市场规模增速将降低为16.2%，销售额预计达到579.2亿元，销售量预计达到67.7亿块，较2004年增长33.3%。
随着电子产品的功能日益丰富，成本效益佳、功耗低、密度高及外型小的存储器产品的市场需求日益增加。
作为一种非易失性存储器，FLASH为各种计算机应用、移动及网络设备带来了无可比拟的功能和好处。数码相机是一种快速增长的消费类电子产品，与标准的计算机用存储器相比，数码相机需要存储器的体积更小，同时工作电流更低，每台数码相机需要128MB～256MB的存储容量，而低功耗DDR存储器则可为数码相机厂商提供理想的解决方案。
随着经济情况好转，数据网络技术也有非凡发展。网络传输速度不断加快，网络处理器对存储器的性能和密度要求越来越高，以便迅速有效地进行数据包处理。目前阻碍网络处理器性能增长的关键瓶颈在于存储器的存取速度和密度，因此在下一代交换机和路由器设计中，为实现所需的数据传输速率、功耗及空间指标，对存储器的要求就相应地大大提高，特别是在容量、带宽和每引脚总线效率等几个方面。
2004年，随着NAND FLASH厂商的加入，FLASH厂商之间为了争夺手机市场而展开了更加激烈的竞争。
NOR FLASH一直在手机中占有主导地位，目前大部分手机使用NORFLASH实现代码存储，同时采用SRAM或者PSRAM作为缓存或工作内存，而NAND FLASH厂商提倡把NAND FLASH与SDRAM相结合。
NAND FLASH与NOR FLASH相比，优点在于NAND FLASH的最大容量可以达到几个Gb，而NOR FLASH的容量只有128Mb，这成为NANDFLASH将在手机市场中替换NOR FLASH的重要因素。但是，当用于modem端时，由于NAND不能随机访问，所以需要使用大量DRAM，以供遮蔽(shadow)和运行modem指令代码，这样就增加了功耗和延长引导时间，另外，NAND在数据完整性方面也不如NOR可靠，这些缺点将导致成本上升。
业界专家之所以认为NAND FLASH将替代NOR FLASH，还有一个原因是NAND FLASH的单位比特成本加上其缺点导致的额外成本仍低于NOR FLASH的单位比特成本。因此，Intel、AMD和Fujitsu等大型NOR FLASH厂商面临压力，而Samsung、Toshiba和Renesas等NAND FLASH厂商的市场份额则在扩大。
2004年，存储器厂商相应推出适用于数字消费和便携式应用的产品，如Elpida Memory公司推出了系列适用于数字消费应用的高速DRAM器件；Toshiba将两片4Gb NAND FLASH以TSOP封装在一起，推出8Gb NAND FLASH，使FLASH体积更加小型化，同时为数字家电开辟了更强劲功能的应用；Renesas开发出可减少误码率的SDRAM存储单元和没有软错误的SRAM，比较适于移动应用等。
同时，由于服务器对系统性能的高要求，DDR2在服务器应用中将有更大市场，Hynix发布业界首款基于1Gb的2Gb DDR2 RDIMM，采用该产品能为用户在高密度的DDR2服务器和工作站系统中扩大内存容量。
DDR2产品价格将会不断下降
随着各个DRAM厂商DDR2新产品的不断推出和Intel的5款支持DDR2芯片组的公布，显示了半导体厂商对DDR2技术的明显拥护，但是，DDR2成为市场主流还需要时日。
目前，DDR2产品的价格还很高，这是市场对DDR2产品持怀疑态度的主要原因。而DDR2产品价格偏高的主要因素有以下几个方面：首先，因为DDR2器件尺寸的增加，DDR2在每个晶圆上生产出的器件更少，而单个DDR2器件尺寸的增加也造成成本的提高；其次，DDR2采用了成本较高的BGA封装和速度更快的测试，从而在产品生产和测试阶段也增加了成本。
DDR2产品的推出和发展速度，在很大程度上依赖于业界何时出现数量可观而工作稳定的平台。考虑到现在的状况，DDR和DDR2产品还必然会在市场上并存很长一段时间。
SRAM的成长将平稳渐进
针对不同的应用市场，SRAM产品的技术发展已经表现出了两个很清晰的走向，一个是向高性能通信网络所需的高速器件发展，另一个是向低功耗性能演变以适应蓬勃发展的便携式应用的需要。
2004年，手机等移动终端市场对SRAM的需求约占总需求的50%左右，另有30%左右的SRAM产品被通信市场所消化。可以说，目前移动终端与通信领域仍然是SRAM市场主要的驱动力。
未来SRAM市场的增长将是平稳和渐进的。这种特点与其所服务的市场属性有关，更重要的一点是传统的SRAM技术正在受到其他竞争性的DRAM技术的冲击：在高速网络方面，FCRAM和RLDRAM技术正在相互竞争中快速成长；在便携式应用领域，诸如Cellular RAM与Mobile FCRAM等PSRAM产品也正在逐渐挤压原先由SRAM独占的低功耗应用的空间。
尽管SRAM在某些方面还有其难以替代的功能特性，但市场对存储器产品在速度、存储密度、功耗等方面综合性的要求将继续推进那些SRAM替代技术的发展。
手机对存储容量需求将逐渐攀升
手机里的存储器大多使用LPSRAM，因为SRAM比DRAM省电，但是随着未来手机、PDA等产品的分界线越来越模糊，手机上的功能也越来越多，这将使手机对存储器容量的需求也逐渐攀升。
在容量提升方面有所限制的LPSRAM将逐渐被淘汰。1T SRAM及LP DRAM在容量方面都比LP SRAM高，但就省电方面看，1T SRAM的频率比LP DRAM低，消耗的电量也比较少，所以1T SRAM相对于LP DRAM在手机上使用的优势又相对较高。除了以1T SRAM或是LP DRAM来取代LP SRAM之外，厂商考虑到节省空间也会将LP SRAM及NORFLASH以多芯片封装(MCP)的方式封装成一个堆栈式内存芯片。
未来，若是存储器二线厂商打算进入手机用存储器市场，最好先与提供手机用FLASH的国际大厂合作，这样切入手机用存储器市场的机会比较大。若选择不与FLASH大厂合作，而采用二线厂商或用自产的FLASH芯片，则建议以低价策略取得与手机厂商合作的机会。
多芯片封装产品将成市场主流
全球通信及消费类电子产品应用面不断扩大，功能也日益进入整合阶段，对FLASH、DRAM容量的需求愈来愈高，而多芯片封装(MCP)技术可以将FLASH、DRAM等不同规格的芯片利用系统封装方式整合成单一芯片，且生产前置时间短、制造成本低，具有低功耗特性、高数据传输速率等优势，已经是便携式电子产品内设内存产品最主要的规格，另外数字电视、机顶盒、网络通信产品等也已经开始采用各式MCP产品。
预计2005年全球MCP需求量将达到4.2亿块。随着各种便携式信息装置对存储器特性需求的日益多元化，全球包括Samsung、Hynix、Intel等重量级IC厂商都纷纷看好此市场前景，竞相推出相关产品。
2004年中国半导体存储器市场规模仍然保持了高速增长，但是由于价格降低，市场规模增速由2003年的48.2%降低为26.4%。由于中国消费电子以及移动电话产业增长速度逐渐放缓，存储器市场需求也逐渐趋缓，2005年，中国半导体存储器市场规模增速将降低为16.2%，销售额预计达到579.2亿元，销售量预计达到67.7亿块，较2004年增长33.3%。
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新兴应用拉动存储器市场需求
随着电子产品的功能日益丰富，成本效益佳、功耗低、密度高及外型小的存储器产品的市场需求日益增加。
作为一种非易失性存储器，FLASH为各种计算机应用、移动及网络设备带来了无可比拟的功能和好处。数码相机是一种快速增长的消费类电子产品，与标准的计算机用存储器相比，数码相机需要存储器的体积更小，同时工作电流更低，每台数码相机需要128MB～256MB的存储容量，而低功耗DDR存储器则可为数码相机厂商提供理想的解决方案。
随着经济情况好转，数据网络技术也有非凡发展。网络传输速度不断加快，网络处理器对存储器的性能和密度要求越来越高，以便迅速有效地进行数据包处理。目前阻碍网络处理器性能增长的关键瓶颈在于存储器的存取速度和密度，因此在下一代交换机和路由器设计中，为实现所需的数据传输速率、功耗及空间指标，对存储器的要求就相应地大大提高，特别是在容量、带宽和每引脚总线效率等几个方面。
手机市场两种FLASH竞争加剧
2004年，随着NAND FLASH厂商的加入，FLASH厂商之间为了争夺手机市场而展开了更加激烈的竞争。
NOR FLASH一直在手机中占有主导地位，目前大部分手机使用NORFLASH实现代码存储，同时采用SRAM或者PSRAM作为缓存或工作内存，而NAND FLASH厂商提倡把NAND FLASH与SDRAM相结合。
NAND FLASH与NOR FLASH相比，优点在于NAND FLASH的最大容量可以达到几个Gb，而NOR FLASH的容量只有128Mb，这成为NANDFLASH将在手机市场中替换NOR FLASH的重要因素。但是，当用于modem端时，由于NAND不能随机访问，所以需要使用大量DRAM，以供遮蔽(shadow)和运行modem指令代码，这样就增加了功耗和延长引导时间，另外，NAND在数据完整性方面也不如NOR可靠，这些缺点将导致成本上升。
业界专家之所以认为NAND FLASH将替代NOR FLASH，还有一个原因是NAND FLASH的单位比特成本加上其缺点导致的额外成本仍低于NOR FLASH的单位比特成本。因此，Intel、AMD和Fujitsu等大型NOR FLASH厂商面临压力，而Samsung、Toshiba和Renesas等NAND FLASH厂商的市场份额则在扩大。
数字消费和便携式应用是重点
2004年，存储器厂商相应推出适用于数字消费和便携式应用的产品，如Elpida Memory公司推出了系列适用于数字消费应用的高速DRAM器件；Toshiba将两片4Gb NAND FLASH以TSOP封装在一起，推出8Gb NAND FLASH，使FLASH体积更加小型化，同时为数字家电开辟了更强劲功能的应用；Renesas开发出可减少误码率的SDRAM存储单元和没有软错误的SRAM，比较适于移动应用等。
同时，由于服务器对系统性能的高要求，DDR2在服务器应用中将有更大市场，Hynix发布业界首款基于1Gb的2Gb DDR2 RDIMM，采用该产品能为用户在高密度的DDR2服务器和工作站系统中扩大内存容量。
2005年：移动通信是主要驱动力
DDR2产品价格将会不断下降
随着各个DRAM厂商DDR2新产品的不断推出和Intel的5款支持DDR2芯片组的公布，显示了半导体厂商对DDR2技术的明显拥护，但是，DDR2成为市场主流还需要时日。
目前，DDR2产品的价格还很高，这是市场对DDR2产品持怀疑态度的主要原因。而DDR2产品价格偏高的主要因素有以下几个方面：首先，因为DDR2器件尺寸的增加，DDR2在每个晶圆上生产出的器件更少，而单个DDR2器件尺寸的增加也造成成本的提高；其次，DDR2采用了成本较高的BGA封装和速度更快的测试，从而在产品生产和测试阶段也增加了成本。
DDR2产品的推出和发展速度，在很大程度上依赖于业界何时出现数量可观而工作稳定的平台。考虑到现在的状况，DDR和DDR2产品还必然会在市场上并存很长一段时间。
SRAM的成长将平稳渐进
针对不同的应用市场，SRAM产品的技术发展已经表现出了两个很清晰的走向，一个是向高性能通信网络所需的高速器件发展，另一个是向低功耗性能演变以适应蓬勃发展的便携式应用的需要。
2004年，手机等移动终端市场对SRAM的需求约占总需求的50%左右，另有30%左右的SRAM产品被通信市场所消化。可以说，目前移动终端与通信领域仍然是SRAM市场主要的驱动力。
未来SRAM市场的增长将是平稳和渐进的。这种特点与其所服务的市场属性有关，更重要的一点是传统的SRAM技术正在受到其他竞争性的DRAM技术的冲击：在高速网络方面，FCRAM和RLDRAM技术正在相互竞争中快速成长；在便携式应用领域，诸如Cellular RAM与Mobile FCRAM等PSRAM产品也正在逐渐挤压原先由SRAM独占的低功耗应用的空间。
尽管SRAM在某些方面还有其难以替代的功能特性，但市场对存储器产品在速度、存储密度、功耗等方面综合性的要求将继续推进那些SRAM替代技术的发展。
手机对存储容量需求将逐渐攀升
手机里的存储器大多使用LPSRAM，因为SRAM比DRAM省电，但是随着未来手机、PDA等产品的分界线越来越模糊，手机上的功能也越来越多，这将使手机对存储器容量的需求也逐渐攀升。
在容量提升方面有所限制的LPSRAM将逐渐被淘汰。1T SRAM及LP DRAM在容量方面都比LP SRAM高，但就省电方面看，1T SRAM的频率比LP DRAM低，消耗的电量也比较少，所以1T SRAM相对于LP DRAM在手机上使用的优势又相对较高。除了以1T SRAM或是LP DRAM来取代LP SRAM之外，厂商考虑到节省空间也会将LP SRAM及NORFLASH以多芯片封装(MCP)的方式封装成一个堆栈式内存芯片。
未来，若是存储器二线厂商打算进入手机用存储器市场，最好先与提供手机用FLASH的国际大厂合作，这样切入手机用存储器市场的机会比较大。若选择不与FLASH大厂合作，而采用二线厂商或用自产的FLASH芯片，则建议以低价策略取得与手机厂商合作的机会。
多芯片封装产品将成市场主流
全球通信及消费类电子产品应用面不断扩大，功能也日益进入整合阶段，对FLASH、DRAM容量的需求愈来愈高，而多芯片封装(MCP)技术可以将FLASH、DRAM等不同规格的芯片利用系统封装方式整合成单一芯片，且生产前置时间短、制造成本低，具有低功耗特性、高数据传输速率等优势，已经是便携式电子产品内设内存产品最主要的规格，另外数字电视、机顶盒、网络通信产品等也已经开始采用各式MCP产品。
预计2005年全球MCP需求量将达到4.2亿块。随着各种便携式信息装置对存储器特性需求的日益多元化，全球包括Samsung、Hynix、Intel等重量级IC厂商都纷纷看好此市场前景，竞相推出相关产品。
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(编辑 甘心)