美信SiGe混频器简化了混频电路设计

美信SiGe混频器简化了混频电路设计

     （华强电子世界网讯） 美信(Maxim)的MAX9981硅锗(SiGe)混频器包括一个LO开关和分路器、两个LO缓存和一个片上不平稳变压器，它采用6×6mm、36引脚QFN封装，使混频器电路的总尺寸及元件数目分别减小了2.5倍和52%。
    
     MAX9981设计用于GSM900、cdma2000、TDMA和iDEN基站产品，具有2dB转换增益、12dB噪声特性、26.8dBm IIP3性能，可代替两个混频器、四个放大器、三个不平稳变压器、一个LO开关和分路器及其它分立元件。该混频器与砷化镓(GaAs)相比，ESD可靠性更高。
    
     这种集成LO开关支持GSM跳频，开关速度小于250ns，LO至LO隔离大于50dB。板载LO缓存可提供±5dB驱动差异控制，可为温度、电源及输入功率提供稳定的G、NF和IIP3性能。
    
     在室温下增益扩展为标称值的±0.6dB，其变化为-0.0135dB/°C。IIP3在各温度下的扩展为±0.5dB。