东芝双极晶体管的饱和电压更低

     （华强电子世界网讯） 东芝公司推出采用第三代高效网状发射极晶体管(Hi-MET III)设计的系列双极功率晶体管，与传统双极晶体管相比，其集电极与发射极间的饱和电压低，增益特性更高。
    
     该晶体管系列可用于便携电子设备，如功率管理的负载开关、LCD背光逆变器、dc/dc转换器、内置可充电电池的充电电路及串联调节器。
    
     低饱和电压特性减小了电路中的晶体管损耗，而大电流增益特性可保证用基极小电流即可驱动晶体管，这样可提高功效，延长便携设备的电池使用时间。有产品使用2SC5755晶体管后最大饱和电压为0.12V，电流增益在400至1000之间。
    
     这些晶体管的额定电压在-50V至50V之间，额定电流为-3A至4A，功耗高达1W。增益在140至1,000之间。它们采用单通道及双通道NPN或PNP配置，3引脚TSM封装的大小为2.8×2.9×0.7mm，6引脚VS-6封装的大小为2.8×2.9×0.7mm，而3引脚PW-MINI封装的大小为4.6×2.5×1.6mm。