NEC开发出氮化物功率晶体管

NEC开发出氮化物功率晶体管

     （华强电子世界网讯） NEC公司开发出了氮化物半导体功率晶体管，在30GHz亚毫米频段放大功率达2.3W。这家日本公司宣称，与以前采用同样材料制造的单片器件0.72 W的最大输出功率相比，该晶体管性能有了巨大的进步。
    
     该项工作的目标是采用氮化物开发低功耗高频器件，于今年早些时候启动。NEC希望在三到五年内将该技术商业化，当前正致力于提高输出功率以及为功率晶体管开发大批量制造技术。
    
     最先开发的晶体管面向制造小型、大输出功率发射放大器，用于下一代宽带无线网络。NEC表示采用这种功率晶体管可以省去功率分配器/合成器，从而减小芯片尺寸，降低功率消耗。
    
     根据NEC研究人员的说法，设计师可以将发射放大器的尺寸减小80%多，而发射功率增加2到3倍(2W)，制造出超小型大功率器件。