三星针对Hynix 刻意压低NAND型Flash市场报价

     (华强电子世界网讯) 5月25日消息，近来全球NAND型闪存（Flash）报价走势，可用高跌、低不跌来形容，也就是高容量产品跌幅速度远高过低容量产品，主要原因在于三星（Samsung）刻意压低高容量NAND型Flash报价，使竞争对手无法跟上，据了解，其主要便是针对Hynix而来。由于Hynix同样看好Flash未来发展空间，因此为了能与三星一拼高低，6月起将全力投入如高容量2G NAND型Flash的量产，双方将于NAND型Flash市场中再度交战。
    
     据港台媒体报道，过去几周以来，就全球NAND型Flash价格走势来看，可明显看出高容量的NAND型Flash价格直落，自3月中旬至今尚未看到任何止跌回升的信号，且跌幅将近15％。反观较低容量的NAND型Flash报价，几乎呈现平盘或顶多小跌的状态，而高容量NAND型Flash报价为何会频频下杀，事实上也只有三星能够回答，因为目前仅有三星可以做出高容量的产品。
    
     目前市场上高容量的4G或8G的NAND型Flash产品，几乎清一色来自三星，因此三星可说是高容量NAND型Flash市场定价者，要报高或报低全凭其说了就算。而过去几周以来，三星便希望通过不断地降价，以刺激消费者使用高容量产品，并借此防堵其余后进者进入高容量市场，这也是过去三星最常使用的招数。
    
     据了解，三星之所以频频降价，最大目的便是要阻止海力士进入高容量产品市场，原因在于2005年初以来，三星便已获悉Hynix除了将加快NAND型Flash产品投片量外，更重要的是有高容量产品将陆续问市，而Hynix 2G NAND型Flash将自6月起开始批量生产。
    
     此举正显示三星与Hynix于NAND型Flash市场的战争，已由原本的低容量转进高容量，换言之，双方采取的战略，无不是希望能在高容量NAND型Flash市场占有一席之地。而只要Hynix正式推出2G的NAND型Flash芯片组后，接下来要进入到4G或是8G的市场，将不会有太大的困难，因为只要通过堆栈技术，Hynix便可轻松进入更高容量的市场。
    
     而届时双方的战火恐将会较目前更为精彩可期，原因在于Hynix除了已有高容量产品外，更重要的是其因陆续转进90纳米制程及12英寸厂投产，成本竞争力将不会输给三星。
    
    

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