内存跟踪播报：已跌破3美元大关

     （华强电子世界网独家报道） 小编再次深入一线市场了解到，存储芯片还在持续跌势。闪存NAND除了三星的1G市场出现短缺，有小幅上调表现以外，2G、4G、8G价格继续走低。而内存芯片跌势不减，经销商担心的“3美元大关”已破：根据主流品牌Hynix报价，256MB DDR266颗粒价格已经从上周末的$3.1降到昨天下午的$2.98。
    
     目前内存芯片的跌势已经持续近一个星期，据集邦科技及通路商方面消息，上个星期的跌价情况如下：现货市场512MB DDR原厂模块重挫超过6％，256MB DDR原厂模块大跌近5％，二线DRAM厂模块价位也受到波及，平均跌幅接近4％，价位最低已达28美元。至于256Mb DDR原厂芯片价格也下滑2.2％，平均价位约3.46美元，有效测试（eTT）DRAM颗粒价格跌势最大，跌幅高达15％！
    
     由上周初开始的DRAM大降，主要是源于由于DRAM大厂三星、Hynix等加速释出库存至现货市场，业内传言，“目前DRAM厂上面临正满手库寸的尴尬情况”，加上市场需求疲弱，（据悉，目前市场只看到价格跌至最低位时出现少量需求。）DRAM现货价开始快速下跌，单日跌幅也同时扩大。通路业者也指出，“DRAM厂在合约市场出货受挫，多余库存不断释出至现货抛售，价格至月底为止未见止跌迹象。”
    
     时至3月1日，跌势还未见回转。看最近几天的形势，此波降价还在继续，昨天小编收到报价：Hynix 256MB DDR266/333/400颗粒报价已经低至：$2.98/3.02/3.02,而这个报价上周末还是$3.1/3.15/3.15。关于内存价格近期走向，经销商普遍表示：看不清楚！大部分经销商希望3月初DRAM有所好转。
    
     关于DRAM进一步走向，小编继续和您一起关注。