三星4Gb NAND闪存投入生产 采用70纳米制程
来源：赛迪网 作者： 时间：2005-05-31 17:43
(华强电子世界网讯) 5月31日消息 三星日前称它已开始采用70纳米制程批量生产4Gb NAND闪存芯片。这款芯片依靠在一块铅模里堆叠了4颗1Gb的NAND芯片实现了4Gb的容量。三星称这种芯片适用于新兴的3G移动电话和PDA，便携游戏机以及数码相机上。
据称该芯片的读写速率分别可以达到108MB/s和10MB/s。一个5兆象素的拍照手机可以利用它存储250帧连续拍摄的照片，或存储多达120个音乐文件。
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(编辑 甘心)
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