三星开发多芯片封装技术 可集成多种闪存

     (华强电子世界网讯) 近日，存储技术领导厂商三星电子宣布首先开发成功8晶粒多芯片封装技术。这种技术将应用于高性能移动设备，例如3G手机以及越来越多的超小型移动设备。
    
    　　通常情况下，每块内存封装上的芯片数量越多，它的厚度也将随之增加。三星利用其晶片支持系统技术，在设计过程中为晶片进行“瘦身”，能够在最小化整体芯片厚度的同时，减少堆栈晶粒之间的空间。通过这种技术，8晶粒多芯片封装的解决方法将在1.4mm厚度的芯片上达到3.2Gb的容量，这仅相当于目前4晶粒内存芯片的厚度。这种新技术兼顾了高性能和高紧凑性，极有可能推动新一代移动设备的发展。
    
    　　新的8晶粒多芯片封装技术在单芯片11 x 14 x 1.4mm的范围内集成封装了目前可用的所有类型的移动产品芯片：包括两片1Gb 的NAND闪存芯片，两片256Mb 的NOR闪存芯片，两片256Mb 的移动DRAM，一片128Mb的UtRAM 和一片64Mb的UtRAM。
    
    　　根据市场调查机构iSuppli的预测，3G手机市场将以每年平均87%的速度扩张，而8晶粒多芯片封装技术可望为移动电话及其他小型移动设备提供更强大的功能。
    
    

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