SK海力士HBM4已量产，10家客户锁定长期供货

7月29日，SK海力士发布2026财年第二季度财报。当季营收79.32万亿韩元（约合人民币3696亿元），同比增长257%，环比增长51%；营业利润60.54万亿韩元，同比增长557%，环比增长61%。两项指标均刷新单季历史最高纪录，上半年累计营收首次突破100万亿韩元。

从盈利能力看，二季度营业利润率达76%，毛利率约83%。净利润93.92万亿韩元，但其中包含出售铠侠股权带来的一次性投资收益约62万亿韩元，并非全部来自主营业务。截至二季度末，公司现金及等价物达88万亿韩元，较上季度增加33.6万亿韩元，净现金头寸扩大至69.4万亿韩元。

需要说明的是，尽管业绩创历史新高，营收和营业利润均低于市场此前预期（分析师预测营收约84万亿韩元、营业利润约64万亿韩元）。SK海力士在AI高端内存领域业务占比高于竞争对手，传统内存芯片价格上涨带来的边际收益相对有限。

产品线全面提速

HBM4（第六代高带宽内存）在二季度已实现大规模出货，下半年将持续扩大出货规模。下一代HBM4E已完成样品交付，采用成熟工艺以保障量产稳定性。DRAM方面，面向AI服务器设计的新型内存形态SOCAMM2销量持续增长，基于1c工艺（10纳米第六代DRAM工艺）的产品量产稳步爬坡。NAND闪存方面，321层产品已成为产量最高的NAND品类，公司目标是到年底321层产能占本土NAND总产能的50%左右。

锁定中长期供应

SK海力士已与约10家行业核心客户签署长期供货协议（LTA），并仍在与更多客户洽谈。协议设置了差异化定价机制，根据客户类型和产品特性区分定价，以平抑存储价格的周期性波动，提升中长期订单的确定性。

产能扩张方面，公司正加速推进韩国清州M15X DRAM生产基地的量产，并计划在2027年初龙仁一期洁净室投产后快速扩产。中长期投资还包括P&T7先进封装设施、M17 NAND生产基地及新半导体集群开发项目。2026年全年资本支出预计位于40万亿韩元区间高段，公司强调将在产能扩张与财务稳健之间保持平衡。

三季度展望方面，SK海力士预计DRAM出货量环比增长约10%，NAND闪存出货量环比小幅增长1%至4%。

LPDDR6下半年量产，小米有望首发

7月28日韩媒报道称，SK海力士计划于下半年正式启动LPDDR6量产出货，中国手机品牌小米有望成为首批客户。该产品已于3月完成开发验证，采用1c工艺制造，数据处理速度较LPDDR5X提升33%，功耗降低20%以上，基础运行速率超过10.7Gbps。三星电子已于今年1月发布基于1b工艺的LPDDR6产品，长鑫存储的LPDDR6也已进入送样阶段。受存储厂商产能更多向HBM和服务器DRAM倾斜影响，LPDDR市场供应持续偏紧，产品价格一路上涨。

供需缺口或将持续扩大

SK集团会长崔泰源7月19日在济州论坛期间判断，明年全球半导体需求将增长至少50%至60%，其中AI相关半导体需求增幅预计达60%至100%，但明年新增供给量几乎为零，供需缺口恐进一步扩大。他同时警示，当前存储芯片价格已处于偏离合理区间的高位，若持续上涨催生"芯片通胀"，将压制消费电子终端需求，对产业链形成反噬。

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