英飞凌、IBM推MRAM原型芯片取代DRAM、闪存

     (华强电子世界网讯) 英飞凌和IBM二家公司于当地时间本周三本周二宣布，它们已经展示了一款16兆位MRAM（磁性内存）的原型产品，将这种节能内存技术向商业化应用又推进了一步。
    
    　　MRAM是一种非挥发性存储技术，能够在没有电源供应的情况下保存更长时间的信息。这种技术被认为在未来将会取代闪存，甚至可能会取代目前PC中的DRAM。目前，手机、数码相机等数字产品中大量使用了闪存。
    
    　　利用磁阻材料生产的MRAM通过产生使存储单元成为二种磁性状态之一的磁场存储数据。相比之下，包括DRAM、SRAM、闪存在内的现有内存技术都使用电荷来存储数据。
    
    　　除了不易挥发的特性外，MRAM的另一个有吸引力的地方就是成本。与需要使用专门的CMOS生产工艺的闪存不同的是，MRAM可以使用标准的CMOS工艺生产。如果良品率足够高，这将降低MRAM的生产成本。
    
    　　自2000年以来，英飞凌和IBM一直在联合开发MRAM芯片。它们在一份声明中指出，在未来数年后，这一技术即可投入商用。
    
    

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