闪存之路不好走 英特尔低容量产品被迫退场

     (华强电子世界网讯) 1月17日消息 港台媒体消息称，全球闪存市场竞争激烈，加上需求表现不如预期，让CPU双雄英特尔及AMD均吃尽苦头；超微日前甫发布悲观财测指出，负责闪存事业的内存部门2004年第四季(Q4)恐出现亏损，并造成当日股价大跌26%，半导体龙头厂英特尔也难逃厄运，IC渠道厂商表示，经过近几个月厮杀竞争后，英特尔已被迫全面退出低容量NOR型闪存芯片组市场。
    
    　　IC渠道厂商指出，2004年下半年起无论是NAND或NOR型闪存市场，竞争均相当激烈，不少DRAM颗粒晶圆厂为进一步提高获利，纷以低价策略投入原本仅有东芝(Toshiba)及三星(Samsung)两大厂的NAND型闪存市场，加上这两大厂也不甘示弱，频用更低成本及更具竞争力的报价全面还击，造成NAND型闪存价格跌多涨少，整体报价持续滑落。
    
    　　NOR型闪存市场也面临同样问题，部分半导体大厂有鉴于NOR型闪存利润相当不错，纷纷前仆后继切入这一领域，其中，又以英特尔动作最为积极。IC渠道厂商指出，英特尔于2004年Q3时看好NOR型闪存报价及获利较佳，加上本身拥有部分晶圆片库存置于晶圆银行(Wafer Bank)，英特尔为提升整体营收及获利，并进一步抢夺闪存市占率，遂决定回头抢攻16Mb以下的低容量NOR型闪存市场，引发业界不小的震撼。
    
    　　IC渠道厂商表示，由于当时英特尔所推出低容量NOR型闪存数量相当惊人，英特尔为能顺利卖出，不惜以低价策略抢占市场，加上原本于低容量NOR型闪存市场2大领导厂商Spansion及超捷(SST)也跟进厮杀，造成低容量NOR型闪存市场一片哀鸿遍野。
    
     不过，由于英特尔的制造成本仍远高于Spansion及SST 2大领导厂商，加上闪存市场表现不如预期，连AMD都难敌市场需求不振影响，内存部门恐出现亏损情况下，英特尔所受到冲击自然也不小。IC渠道厂商指出，目前英特尔已确定因不堪长期亏损，被迫全面退出低容量NOR型闪存市场。
    
    　　此外，随着低容量NOR型闪存市场价格走软，从中所能赚取的利润无法再像过去那样诱人，因此，供应商近期纷对于低容量NOR型闪存的扩产展开紧缩动作，如今加上英特尔退出该市场竞局，IC渠道厂商表示，低容量NOR型闪存价格已确定出现止跌回升信号，至于Spansion及SST则可望接手英特尔所空出来的市场。
    
    

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