英特尔推出最新NOR闪存样品 欲向NAND挑战

     (华强电子世界网讯) NAND 和 NOR是两种主要类型竞争着的闪存产品， 全球最大的NOR闪存芯片提供商英特尔公司日前表示，它已经为手机制造商开发出了代号为“Sibley”的最新的NOR闪存芯片样品。
    
    　　英特尔公司闪存产品团队首席技术官 Edward Doller在网络广播（Webcast）时表示，这款储存容量为512MB闪存芯片是英特尔公司首款采用90纳米制造技术生产的新产品，与英特尔公司先前生产的 NOR闪存芯片相比，新的芯片读取速度快两倍，书写速度快三倍，抹除速度快四倍。
    
    　　最重要的是更大的存储容量将能够帮助NOR闪存与NAND闪存展开有效的竞争。由于新的具有可拍照和音乐播放器功能的手机需要更大的储存容量，一些手机制造商已经转向了NAND闪存，它们青睐NAND闪存每个芯片的更大的储存容量。这一趋势给 NOR闪存造成很大的威胁，在闪存市场，传统上较老的储存是手机和英特尔公司的支柱产品。
    
    　　据市场调研机构iSuppli公司称，2005年第一季度NAND闪存的销售收入第一次超过了NOR闪存。市场研究人员表示，与2004年第四季度相比，NOR闪存的销售收入在今年第一季度下滑了11%，为20.2亿美元，同期NAND闪存的销售增长了16%，达到20.5亿美元。
    
    　　闪存是一种在能量交换时保留数据的可再写储存设备， 英特尔公司生产的NOR闪存比其他类型的闪存能够运行更快的软件，主要被使用在手机上。它的主要竞争对手NAND闪存能够储存更多的数据，主要用于MP3音乐播放器以及数码相机和其他小产品的抽取式储存卡。
    
    　　全球最大的NAND 闪存制造商三星公司上个月宣布推出了新的NAND闪存，能够储存4GB歌曲、图片和其他数据。是任何NOR闪存不能相比的。但英特尔公司可以把两个芯片堆叠在一起，达到1GB储存容量。 Doller表示，涉及到在手机里用NAND取代NOR是夸张的，他争辩说，NOR有更多的成本效益和较少的电池能量消耗。
    
    　　Doller表示，英特尔公司的代号为“Capulet”的下一个NOR闪存将在2006年大量生产，将采用65纳米技术，储存容量为1GB，45纳米技术制造的闪存芯片到2008年面市，2010年将对32纳米闪存芯片进行探讨，2012年 研究22纳米闪存芯片。
    
    　　关于NAND取代NOR问题，英特尔公司正在研究“许多下一代技术”，其中包括阶段转变储存技术，它是一种储存和运行软件特别良好和电铁聚合体技术，能够达到更高的储存容量。另外英特尔公司的风险资本为Ovonyx公司提供了投资，据称Ovonyx公司的阶段转变储存技术比传统的闪存能够提供更快的书写速度和抹除速度以及更高的循环耐久力。如果他们能够证明这一技术全部可行，很可能在今年获得发展，其时 英特尔公司将看见在未来十年结束以前，这个目前还不太可靠的对 NOR或NAND闪存的挑战者将浮出水面。
    
    

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