MoSys高密存储器技术通过中芯0.13微米验证

MoSys高密存储器技术通过中芯0.13微米验证

     (华强电子世界网讯) 高密度嵌入式存储器存供货商MoSys公司(纳斯达克：MOSY)与中芯国际28日共同宣布MoSys公司的1T-SRAM-R技术(含Transparent Error Correction)优质的高密度存储器,从而扩展了两公司之间现有的合作。
    
    　　“MoSys的0.13微米高密度1T-SRAM-R存储器通过中芯国际的硅验证，这可以给我们的客户提供通过中芯国际0.18及0.13微米逻辑制程验证的特别存储器技术。”中芯国际市场销售部副总宋建迈说。“通过TEL1T-SRAM-R不仅可以使我们的客户节省额外的产品开支，还能显著地减少设计风险并且使用MoSys的独特内存可以帮助客户提高复杂的SoC设计能力。”
    
    　　“通过内置的透明纠错，在增加产量，减少出错率(SER)和提高可靠性时，我们的1T-SRAM-R嵌入式存储器技术还展示了其独特的可伸缩性和可移植性，”MoSys的总裁兼首席执行长Fu-ChiehHsu说。“MoSys的1T-SRAM-R存储器以高的良率通过了中芯国际硅验证的逻辑制程，为他们的客户提供高密度的0.13微米存储器技术，还能通过消除激光修补過程使得生产流程简化。”