DRAM价格涨势趋缓　NAND Flash平稳

       根据台湾某机构机构所公布的最新记忆体市场调查报告，上周DRAM现货市场价格仍持续上涨，但涨幅已经减缓。DDR2 eTT颗粒上涨至2.23美元，涨幅9.3%；品牌颗粒DDR2 512Mb 64M*8则上涨至2.38美元，上涨7.7%；而品牌的模组价格也随之上扬，其中三星(Samsung)的现货市场模组价格DDR2 667MHz 1GB最高曾经来到48美元，相较于上周低点31元，涨幅高达54%。
       该机构表示，从七月开始将进入大陆的暑假促销时期，加上英特尔(Intel)也会在八月后对于低阶的CPU进行降价动作，这些都有助于提升市场需求，促使下游通路商开始积极备货，带动现货市场明显回温。然而近期香港及深圳地区严格的打击走私活动，逮捕了许多交易量较大的代理商，导致从香港走私至大陆地区的DRAM数量明显减少。然而课税后过高的DRAM价格是否会牵动大陆暑促的实质需求，将是影响终端通路库存能否顺利去化的关键。
       而根据该机技过去两年的观察，DRAM现货市场价格通常在下半年有不错的表现，尽管目前现货市场报价涨幅已大，但是在下半年旺季的支撑下，DRAM业者不愿意在继续杀低价格出货，该机构估现货市场价格近期将会在2.0~2.5美元之间盘整。
       合约市场方面，近期PC OEM厂商仍有低价库存，加上全球DRAM商供给数量持续增加，因此六月下旬的合约价尚未跟上现货市场的涨幅。但是进入七月后，是美系PC OEM厂商的财报季底，各家厂商会冲刺七月份的销货数量以求美化本季财报数字，将有利于推升DRAM的需求，因此该机构科技预估七月中旬以后，合约价格将有机会反弹上扬。
       在快闪记忆体方面，六月份NAND Flash终端产品的市场需求处于稳定状态，但整体市场价格却因SLC的供货短缺，加上供应商现阶段并无计画增加SLC的产出，因此该机构预估SLC型NAND Flash市场价格短期内仍然持稳往上。
       NAND Flash市场的SLC供应量明显的在缩减中，但是目前市场仍有一些产品需要使用SLC型NAND Flash晶片，包括GPS导航装置、DSLR (单眼数位相机)使用的高速记忆卡，以及目前话题性十足的固态硬碟(Solid State Drive，SSD)等。这些产品多半讲究NAND Flash的稳定度、读写速度和寿命，且上述这些利基型产品的市场发展仍处于成长的阶段，因此目前SLC的供应状况呈现短缺的状态。
       相对于SLC的产出比重持续递减，目前MLC已泛使用在各种NAND Flash的应用领域。同等容量的MLC生产成本比SLC少20%到30%左右，且MLC的读写速度与寿命足可应付多数NAND Flash终端应用，例如：随身碟、记忆卡、MP3播放器等，因此从去年开始NAND Flash供应商持续调升MLC的产出比重，目前MLC的产出比重已经接近80%。该机构科技的推估MLC的产出比重到今年底时大约是在85%上下。
       在SLC供货不足，且供应商近期的策略仍维持将SLC产出比重往下调整，因此该机构认为在短时间内NAND Flash的整体市场价格仍然稳定，向下滑落的机会不大。展望第三季，NAND Flash的市场价格走势，由于供需状况已较平衡，加上传统旺季即将来临，预期会呈现比较稳定的状况。