全球NAND Flash供货出大问题英特尔暂停供货 三星、海力士产能两头烧 都是制程惹的祸

全球NAND Flash供货出大问题英特尔暂停供货 三星、海力士产能两头烧 都是制程惹的祸

       NAND型快闪记忆体(Flash)供应端下半年恐将拉警报，造成供货严重不足主因，除英特尔(Intel)为抢进50奈米制程，决定既有采用78奈米制程所生产NAND Flash将暂不供应下游客户端，还有三星电子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)亦为强化整体竞争力，被迫将产能加速转进至50奈米主流制程，加上为供应苹果(Apple)下半年庞大订单，还必须挪出部分采70奈米制程产能，在产能两头烧情况下，亦无力满足下游客户订单需求，因此，业界纷预期2007年下半全球NAND Flash市场将出现严重供不应求。
       记忆体业者表示，根据来自英特尔消息指出，由于英特尔及美光(Micron)所合组IM Flash在78奈米制程技术上，其生产成本竞争力上无法与三星电子、东芝(Toshiba)及海力士等竞争者相抗衡，因此，决定现有采用78奈米制程所生产NAND Flash，暂时停止卖到下游客户，仅供应英特尔或美光内部自行使用。
       事实上，IM Flash为能赶上竞争对手，近期已积极调拨产能抢进50奈米制程，希望未来能藉由50奈米制程，得以与三星、东芝及海力士平起平坐，不过，值此新制程转换之际，亦将造成NAND Flash市场在短期内将失去许多来自IM Flash的供应量。
       至于三星及力士同样面临产能调拨、造成供给量不足问题，记忆体业者指出，三星及海力士为能在未来NAND Flash市场更具有竞争优势，近期均调拨相当多产能至50奈米制程，但截至目前采用50奈米制程良率仍不佳，使得产出量未如预期，加上为满足苹果下半年NAND Flash订单庞大需求，必须保留部分70奈米制程产能，在产能两头烧情况下，更使得NAND Flash供应量出现明显不足。
       此外，由于苹果即将推出iPhone及高阶iPod，NAND Flash市场需求大增，国际NAND Flash大厂纷展开先进制程竞赛，导入50奈米制程世代，但因制程转换造成出货量不足，加上自第3季起进入消费性电子传统旺季，包括MP3播放器、快闪记忆卡、随身碟等买气纷上扬，在市场需求增温、供应端却出问题情况下，NAND Flash供需落差遂更加严重。
       记忆体业者表示，苹果在下半年需求最多的NAND Flash为容量4Gb产品，而采用70奈米制程投产4Gb产品最符合经济效益，因此，三星及海力士等大型NAND Flash制造商，仍必须将适当产能保留在70奈米制程，但这亦造成整体NAND Flash供应量明显降低。整体而言，进入2007年下半后，全球NAND Flash市场出现严重供不应求恐将难免。