DRAM价扬 模块厂喘口气
DRAM价格涨势再起，512Mb DDRII有效测试（eTT）颗粒昨（30）日飙涨逾8%，再度激励市场对价格反弹信心，先前恐受DRAM价格暴跌，导致将有大笔库存跌价损失威胁的威刚（3260）、创见（2451）、劲永（6145）等内存模块业者，营运压力大减。
根据集邦科技（DRAMeXchange）昨晚报价，512Mb DDRII有效测试颗粒单日劲扬8.6%，均价为1.72美元，创短期新高，一周来涨幅逼近15%。同规格现货市场品牌颗粒报价同步走扬，涨幅都在1.3%以上，最高价格站稳2美元大关。
模块业者指出，先前内存市况呈现「NAND Flash稳定，但DRAM疲软」的状况，尤其DRAM价格一路狂跌，先前以较高价格购入的颗粒造成成本垫高，单靠NAND Flash业务很难补平DRAM跌价损失，如今DRAM价格回弹，对于成本压力将有正面纾解效果。
不过，DRAM芯片制造商仍对第二季营运持保守看法，包括力晶（5346）、南科（2408）都认为，「第二季要赚钱是很大的挑战」；茂德（5387）则已透露，第二季获利的可能性很小。
根据集邦科技（DRAMeXchange）昨晚报价，512Mb DDRII有效测试颗粒单日劲扬8.6%，均价为1.72美元，创短期新高，一周来涨幅逼近15%。同规格现货市场品牌颗粒报价同步走扬，涨幅都在1.3%以上，最高价格站稳2美元大关。
模块业者指出，先前内存市况呈现「NAND Flash稳定，但DRAM疲软」的状况，尤其DRAM价格一路狂跌，先前以较高价格购入的颗粒造成成本垫高，单靠NAND Flash业务很难补平DRAM跌价损失，如今DRAM价格回弹，对于成本压力将有正面纾解效果。
不过，DRAM芯片制造商仍对第二季营运持保守看法，包括力晶（5346）、南科（2408）都认为，「第二季要赚钱是很大的挑战」；茂德（5387）则已透露，第二季获利的可能性很小。