DRAM落底有影 华亚科开攻
DRAM价格可望落底。512Mb DDR2现货价截至中午，全面走扬，其中以eTT上涨2.02%最大，累计从上周至今已涨近20%，逐步脱离谷底，受此消息鼓舞，DRAM股今由外资本周力捧、本月营收将持续成长的华亚科(3474)发动攻势，南科(2408)、茂德(5387)及力晶(534 6)全场也表现抗跌。专业内存研究机构集邦科技也认为，6月的DRAM合约价止跌机会大。
DRAM现货价上午走扬，512Mb DDR2 eTT涨幅最大，达2.02%，每颗报价已升高至1.61美元，距离今年最低点的1.35美元，短短一周内，涨幅已逼近20%，已逐步脱离谷底，512Mb DDR2的667MHz与533MHz则分别涨至1.77美元、1.74美元，都有缓步走升现象。
受DRAM现货价一周来持续走升，类股今表现相对抗跌，其中华亚科传出5月营收不退反升，自周一起外资连续买超，昨投信法人也加入买超行列，颇有为这波DRAM反弹走势布局味道。
华亚科指出，虽然DRAM今年以来价格大跌，但该公司因为产出逐月增加，月营收自2月落底后，已连续走升，主要就是整体出货量持续。本周外资即传出华亚科本月营收仍将比4 月的38亿元成长，营运表现目前能见度相对较高。
原本市场仍持续看淡DRAM今年后市，但根据集邦科技最新的周报指出，DRAM制造厂6月分已不愿再降价求售，使得下月合约价有可能出现止跌，且持平机会颇高的情势。由于这是集邦今年以来所仅见的翻转评论，现也引起市场的关注，DRAM价格落底的时机可望来临。
集邦表示，上周DRAM现货价跌破制造成本后，主要DRAM厂商均表示不愿意再砍价出清库存，市场解读为DRAM价格底部浮现，使得现货市场的交易量明显放大，尤其是DDR2 ett颗粒大涨12.5%，带动DDR2品牌价格微幅上扬2.3%。
在价格跌破成本的压力下，韩系大厂海力士已将部份DRAM产能转至NAND Flash，集邦评估，海力士6月底的产出即会小幅下降，而7月DDR2的产出预估更将下降10%~20%，使得市场对DDR2在第三季的价格反弹有了比较乐观的期待。在合约市场方面，也由于DRAM厂商开始抵制OEM厂商所要求的超低价格，加上现货价格开始反弹，使得于6月合约价格有望止跌，而持平机会颇大。
DRAM现货价上午走扬，512Mb DDR2 eTT涨幅最大，达2.02%，每颗报价已升高至1.61美元，距离今年最低点的1.35美元，短短一周内，涨幅已逼近20%，已逐步脱离谷底，512Mb DDR2的667MHz与533MHz则分别涨至1.77美元、1.74美元，都有缓步走升现象。
受DRAM现货价一周来持续走升，类股今表现相对抗跌，其中华亚科传出5月营收不退反升，自周一起外资连续买超，昨投信法人也加入买超行列，颇有为这波DRAM反弹走势布局味道。
华亚科指出，虽然DRAM今年以来价格大跌，但该公司因为产出逐月增加，月营收自2月落底后，已连续走升，主要就是整体出货量持续。本周外资即传出华亚科本月营收仍将比4 月的38亿元成长，营运表现目前能见度相对较高。
原本市场仍持续看淡DRAM今年后市，但根据集邦科技最新的周报指出，DRAM制造厂6月分已不愿再降价求售，使得下月合约价有可能出现止跌，且持平机会颇高的情势。由于这是集邦今年以来所仅见的翻转评论，现也引起市场的关注，DRAM价格落底的时机可望来临。
集邦表示，上周DRAM现货价跌破制造成本后，主要DRAM厂商均表示不愿意再砍价出清库存，市场解读为DRAM价格底部浮现，使得现货市场的交易量明显放大，尤其是DDR2 ett颗粒大涨12.5%，带动DDR2品牌价格微幅上扬2.3%。
在价格跌破成本的压力下，韩系大厂海力士已将部份DRAM产能转至NAND Flash，集邦评估，海力士6月底的产出即会小幅下降，而7月DDR2的产出预估更将下降10%~20%，使得市场对DDR2在第三季的价格反弹有了比较乐观的期待。在合约市场方面，也由于DRAM厂商开始抵制OEM厂商所要求的超低价格，加上现货价格开始反弹，使得于6月合约价格有望止跌，而持平机会颇大。