集邦：DRAM现货价大幅反弹 超越品牌价 形成黄金交叉

集邦：DRAM现货价大幅反弹 超越品牌价 形成黄金交叉

     近期DRAM现货报价出现大幅上涨走势，根据集邦科技报价资料，上周DDR2 eTT颗粒上涨至2.07美元，单周涨幅达 29.4%。而品牌颗粒 DDR2 512Mb 则上涨至2.06美元。集邦分析师指出，DDR2 eTT价格涨势惊人，甚至已经超越品牌价格形成黄金交叉，以过往历史经验观察，将有机会带动现货市场的品牌颗粒价格上扬。
    
     根据集邦科技分析，近期现货报价反弹大约可以归纳 2种原因。首先是中国华南地区严抓走私DRAM，促使深圳地区的通路商积极备货，带动价格上涨。另一项重要因素是，近期台系DRAM厂商纷纷转进70nm，拉长cycle time，使得5、6月份产出减少。
    
     集邦科技指出，一般DRAM产品经由海关进入中国市场，必须要课征 17%的关税，因此对于价格波动非常大的现货市场而言，从香港走私进去的DRAM产品成为部份大陆通路商的竞争模式，而近期华南地区严抓走私的政策，相关厂商为了避免缺货而积极备货，进而带动DRAM现货价格的上涨。
    
     此外，近期台系DRAM厂商纷纷转进70nm，拉长cycle time，使得5、6月份产出减少。虽然减少幅度不大，但是由于台系厂商主要供货到现货市场为主，在预期现货市场供给量减少的情况下，带动现货市场报价大幅反弹。预期7、8月以后台系厂商70nm制程进度将较为顺利。