固态硬碟率NAND攀高峰!东芝发表单晶元四位元多值化技术

       日本NAND快闪记忆体大厂东芝半导体在“2007 Symposium on VLSI Circuits”国际半导体会议中，正式提出七○奈米单晶元四位元（4bit per cell）的多值化（MLC）技术，并成功试产出十六Gb高容量的NAND单颗晶片。市场分析师认为，全球NAND供应商应可在明年中旬前，以七○奈米以下的单晶元四位元多值化技术量产新晶片，可有效降低NAND每十亿位元组（GB）的单位售价，加快NAND固态硬碟（SSD）跃居笔记型电脑最重要储存媒介。
       苹果公司内建八GB容量NAND晶片的iPhone新款手机即将在月底上市，以及十GB以上高容量新款iPOD产品亦将在第三季下旬开始销售，苹果已扩大对全球主要NAND供应商采购晶片。苹果此举让NAND价格止跌反弹，现在主流八Gb NAND现货价及合约价已回升至七美元以上，下半年虽然NAND大厂将DRAM产能回转扩大投片，不过因需求面趋于稳定，业内多预估价格虽不会大涨，但也不至于再出现大跌走势。
       不过对三星、东芝、海力士、IM Flash等大厂来说，下半年持续扩大NAND产能的目的，却已不再仅针对苹果公司需求进行布局，各大厂已将布局重点锁定在下一波强大市场驱动力，即应用在笔记型电脑上的NAND固态硬碟（SSD）市场。
       对笔记型电脑厂商来说，现在部份机种虽已陆续采用SSD，不过考量到SSD与传统硬碟间价差仍大，至年底为止，约九成电脑仍将内建传统硬碟。所以为了有效降低NAND的每GB价格，三星及东芝等大厂均加速MLC技术的导入，如东芝以七○奈米成功试产单晶元四位元晶片，单颗晶片容量已达十六Gb。
       市场分析师则预估，若现在单晶元单位元的单值化（SLC）晶片容量，若可顺利推进至十六Gb，则年底前六十四Gb的MLC晶片要顺利产出将没有任何问题，若再采用最新的三Ｄ直通矽晶穿孔（3D-TSV）堆叠封装技术，业者将可在明年底前量产供货一○○GB以上的高容量SSD产品。
       据美商新帝（SanDisk）预估，至二○一○年为止，全球将三千二百万台的笔记型电脑将内建SSD，市场渗透率将达二○％，届时整个市场需求量将达一兆三千亿颗约当百万位元组（MB），等于一一％的NAND产出将应用在SSD上。新帝也预估一○年时SSD市场规格则超过三十亿美元。