南亚科技推出南亚易胜DDR3-1333内存
DDR3内存具有与生俱来的优势，其速度更快，耗电更少，带宽更大，抗干扰能力更强。可以有效提升CPU的执行速度，3D效果更加精美绝伦，影音效果更加震撼。对于追求极速快感的发烧友，DDR3-1333内存是现阶段独一无二的选择。
为了满足用户日益增长的需求，国际著名内存晶圆大厂南亚科技推出了南亚易胜Elixir DDR3-1333 UDIMM内存模块。其中，南亚易胜Elixir 1G DDR3-1333 UDIMM内存模块采用了南亚原厂内存颗粒，为Green UDIMM、传输位宽64Bit、标准运行电压1.5V、颗粒采用78 Ball BGA封装、标准时序为1333MHz时8-8-8。电压相比DDR2的1.8V降低至1.5V，能耗更低，发热量也更低。BGA封装方式能成功地减少IC颗粒与PCB板的球面接触点，并透过内建的ODT内部中断电阻设计降低数据传输时产生的信号干扰。另外，采用ASR的设计，在DRAM芯片内ASR内建温度传感器来侦测温度，可减少自我频率更新，以达数据不遗失的目的。利用内置于DRAM芯片的温度传感器来侦测温度，以控制更新的频率，在保证数据不丢失的情况下，尽量减少更新频率，以达到降低工作温度的目的。
南亚易胜Elixir 1G DDR3-1333内存整体设计风格严谨扎实、新颖独特，蓝色PCB采用了短程布线设计，简洁明了，有效减少了信号的延迟及引线间的信号干扰，确保了数据传输的安全性。PCB表面采用大面积覆铜遮盖，很好地保证了产品的电气性能及抗电子干扰能力。优选微型贴片电容和高品质电阻排装贴整齐，焊点均匀饱满，用料充足，完全体现出一流的做工工艺和雄厚的设计、研发水平。南亚易胜Elixir内存从IC颗粒到模块封装都层层把关，都需经过严格的质量控管及完整的测试流程，品质可以得到严格的保证。
为了满足用户日益增长的需求，国际著名内存晶圆大厂南亚科技推出了南亚易胜Elixir DDR3-1333 UDIMM内存模块。其中，南亚易胜Elixir 1G DDR3-1333 UDIMM内存模块采用了南亚原厂内存颗粒，为Green UDIMM、传输位宽64Bit、标准运行电压1.5V、颗粒采用78 Ball BGA封装、标准时序为1333MHz时8-8-8。电压相比DDR2的1.8V降低至1.5V，能耗更低，发热量也更低。BGA封装方式能成功地减少IC颗粒与PCB板的球面接触点，并透过内建的ODT内部中断电阻设计降低数据传输时产生的信号干扰。另外，采用ASR的设计，在DRAM芯片内ASR内建温度传感器来侦测温度，可减少自我频率更新，以达数据不遗失的目的。利用内置于DRAM芯片的温度传感器来侦测温度，以控制更新的频率，在保证数据不丢失的情况下，尽量减少更新频率，以达到降低工作温度的目的。
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南亚易胜Elixir 1G DDR3-1333内存
南亚易胜Elixir 1G DDR3-1333内存整体设计风格严谨扎实、新颖独特，蓝色PCB采用了短程布线设计，简洁明了，有效减少了信号的延迟及引线间的信号干扰，确保了数据传输的安全性。PCB表面采用大面积覆铜遮盖，很好地保证了产品的电气性能及抗电子干扰能力。优选微型贴片电容和高品质电阻排装贴整齐，焊点均匀饱满，用料充足，完全体现出一流的做工工艺和雄厚的设计、研发水平。南亚易胜Elixir内存从IC颗粒到模块封装都层层把关，都需经过严格的质量控管及完整的测试流程，品质可以得到严格的保证。