DRAM、NAND Flash合约价压力大

     DRAM和NAND Flash价格双双波动剧烈，DRAM现货价近期频频以大涨大跌回应，为12月下旬的合约价增添不少变量，目前唯有等待DRAM大厂真的落实减产计划，才能挽救DRAM产业；而NAND Flash价格近期更是频破底，12月下旬的合约价压力也相当大，目前IM Flash的产出都还未大量出笼，价格就已经难有支撑，到2008年第1季底之前，合约价和现货价趋势都是往下。
    
     近期DRAM现货价波动剧烈，之前512Mb容量的eTT价格一度反攻1美元关卡，但很快又跌回来，显示这并不是真的的触底反弹，12日512Mb的eTT价格又再度大涨，但1Gb容量则是持续破底。DRAM厂指出，价格要能真正触底上涨，惟有减产一途才能达成，否则供给一直增加，根本没有这么大的市场胃纳量可以消化，供过于求的现况无法改变。
    
     内存厂指出，目前DRAM厂起死回生之路唯有减产，加上每台个人计算机(PC)中的内存搭载容量提升至4GB，如果不减产，那一定要有DRAM厂受不了烧钱的速度而退出才行，否则产业无法转好。
    
     集邦日前也指出，在圣诞假期采购热潮告一段落后，目前看来OEM厂进货意愿不高，12月下旬合约价还是有持续走跌的压力。
    
     NAND Flash价格近期在进入产业淡季下，近期也是频频触底，内存厂表示，IM Flash的产能都还未大量开出，NAND Flash价格就已经先撑不住了，未来情况恐将持续恶化，预计在2008年第1季底之前，NAND Flash价格都没有转好的希望。
    
     12月上旬的NAND Flash合约价大跌，但因为现货价格跌更快，目前现货价低于合约价约20%，合约价要持平希望微乎其微，因此12月下旬合约价继续走跌似乎已是无可避免，近期下游厂大量进货的意愿也不高，有意规避接下来日益扩大的跌价风暴。