侵权挨告、现货价再破底两大利空罩顶 DRAM族群全面倒地
受到美国封装技术专利授权业者Tessera(TSRA-US) 侵权官司冲击，加上DRAM现货价格再破底，DDR2 512Mb eTT颗粒价格下探至 0.75元；造成DRAM族群今(12)日全面倒地，颗粒厂尤以力晶(5346-TW下单)、茂德(5387-TW)跌幅较大，模块厂则均下跌了4%。
美国封装技术专利授权业者Tessera(TSRA-US)，针对多家DRAM厂提出诉讼，包括力晶、茂德、南科(2408- TW)和威刚 (3260-TW)均在被告之列，控告其侵犯BGA封装专利；倘若告诉成立，不仅产品将被禁止销售至美国，权利金的缴纳也将进一步侵蚀毛利。
另一方面，在DRAM现货市场部分，DDR2 512Mb eTT 颗粒价格再度破底，不仅跌破前低，均价甚至再下探至 0.75美元，下文件幅度达到 4.07%；在DDR2 1Gb eTT颗粒跌幅虽较小，不至于跌破前低，但仍维持走跌趋势，来到1.79美元，下滑2.07%。
DRAM价格回暖昙花一现，本周不仅走软，又再破新低；现在又有 Tessera侵权诉讼，雪上加霜。致使DRAM 族群早盘全面惨绿，力晶、茂德最低来到13.1元和8.45 元，双双拉出半根跌停板，南科、华亚科 (3474-TW)跌幅则相对小，约在2%左右；在下游模块厂部分，跌幅更是全面达到4%之多。
集邦科技表示，DRAM价格要真正落底回升，仅能待国际大厂减产，尤其是全球市占率高达50%以上的Hynix (000660-KR；海力士)和Samsung (005930-KR；三星)，若能率先抛砖引玉，作出减产动作，才有助于DRAM价格止跌回稳。
美国封装技术专利授权业者Tessera(TSRA-US)，针对多家DRAM厂提出诉讼，包括力晶、茂德、南科(2408- TW)和威刚 (3260-TW)均在被告之列，控告其侵犯BGA封装专利；倘若告诉成立，不仅产品将被禁止销售至美国，权利金的缴纳也将进一步侵蚀毛利。
另一方面，在DRAM现货市场部分，DDR2 512Mb eTT 颗粒价格再度破底，不仅跌破前低，均价甚至再下探至 0.75美元，下文件幅度达到 4.07%；在DDR2 1Gb eTT颗粒跌幅虽较小，不至于跌破前低，但仍维持走跌趋势，来到1.79美元，下滑2.07%。
DRAM价格回暖昙花一现，本周不仅走软，又再破新低；现在又有 Tessera侵权诉讼，雪上加霜。致使DRAM 族群早盘全面惨绿，力晶、茂德最低来到13.1元和8.45 元，双双拉出半根跌停板，南科、华亚科 (3474-TW)跌幅则相对小，约在2%左右；在下游模块厂部分，跌幅更是全面达到4%之多。
集邦科技表示，DRAM价格要真正落底回升，仅能待国际大厂减产，尤其是全球市占率高达50%以上的Hynix (000660-KR；海力士)和Samsung (005930-KR；三星)，若能率先抛砖引玉，作出减产动作，才有助于DRAM价格止跌回稳。